AO4262E

AO4262E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1B991A0B27820&compId=AO4262E.pdf?ci_sign=351ed64b5a1afa1f49792217732d7a37948a490f Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+52.91 грн
17+22.83 грн
25+20.48 грн
44+20.33 грн
100+19.12 грн
500+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO4262E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 30 V.

Інші пропозиції AO4262E за ціною від 22.22 грн до 63.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AO4262E AO4262E Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1B991A0B27820&compId=AO4262E.pdf?ci_sign=351ed64b5a1afa1f49792217732d7a37948a490f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.50 грн
10+28.45 грн
25+24.58 грн
44+24.40 грн
100+22.95 грн
500+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AO4262E AO4262E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao4262e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 16.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AO4262E AO4262E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 1002680960598945ao4262e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 16.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AO4262E AO4262E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4262E.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.