AO4266E ALPHA&OMEGA
Виробник: ALPHA&OMEGA
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin SOIC AO4266E TAO4266e
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 14.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4266E ALPHA&OMEGA
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції AO4266E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AO4266E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| AO4266E |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.