AO4266E ALPHA&OMEGA
Виробник: ALPHA&OMEGA
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin SOIC AO4266E TAO4266e
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 14.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4266E ALPHA&OMEGA
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції AO4266E за ціною від 12.72 грн до 19.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO4266E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 2W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2W Gate charge: 6.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 8.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 On-state resistance: 13.5mΩ |
на замовлення 1752 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| AO4266E |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 13.5mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 13.5mΩ
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 19.19 грн |
| 27+ | 16.07 грн |
| 100+ | 14.14 грн |
| 500+ | 12.72 грн |


