AO4266E Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4266E Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AO4266E за ціною від 13.37 грн до 25.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO4266E | Виробник : ALPHA&OMEGA |
 Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin SOIC AO4266E TAO4266eкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| AO4266E | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
AO4266E SMD N channel transistors |
на замовлення 3047 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
AO4266E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
AO4266E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
AO4266E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
AO4266E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |