AO4292E ALPHA&OMEGA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 17.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4292E ALPHA&OMEGA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; 2W; SO8; ESD, Mounting: SMD, Power dissipation: 2W, Gate charge: 8nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Drain current: 6.2A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: SO8, On-state resistance: 23mΩ.
Інші пропозиції AO4292E за ціною від 17.36 грн до 61.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AO4292E | ALPHA&OMEGA |
 N-Channel MOSFET 100V 8A 8SOIC AO4292E TAO4292eкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
AO4292E | ALPHA&OMEGA |
N-Channel MOSFET 100V 8A 8SOIC AO4292E TAO4292e кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AO4292E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; 2W; SO8; ESD Mounting: SMD Power dissipation: 2W Gate charge: 8nC Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: 6.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 On-state resistance: 23mΩ |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| AO4292E |
|
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 17.38 грн |
| AO4292E |
|
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 17.38 грн |
| AO4292E |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; 2W; SO8; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 23mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; 2W; SO8; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 23mΩ
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 61.41 грн |
| 20+ | 21.47 грн |
| 25+ | 18.87 грн |
| 100+ | 17.36 грн |