Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AO4447A
AO4447A

AO4447A Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4447A.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO4447A Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AO4447A за ціною від 16.70 грн до 118.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AO4447A AO4447A Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao4447a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+34.47 грн
25+33.91 грн
100+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
AO4447A AO4447A Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F349DB49B22A50&compId=AO4447A-DTE.pdf?ci_sign=c8c83998b87a59dbc7ad0b037337dc9d8255ec62 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.40 грн
12+35.00 грн
25+28.00 грн
100+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AO4447A AO4447A Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F349DB49B22A50&compId=AO4447A-DTE.pdf?ci_sign=c8c83998b87a59dbc7ad0b037337dc9d8255ec62 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.88 грн
7+43.62 грн
25+33.60 грн
100+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AO4447A AO4447A Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4447A.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V
на замовлення 44519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.13 грн
10+71.67 грн
100+47.77 грн
500+35.20 грн
1000+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AO4447A AO4447A Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao4447a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AO4447A Виробник : UMW AO4447A.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,2mOhm; 18,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4447A Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4447A UMW TAO4447a UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AO4447A Виробник : ALPHA&OMEGA AO4447A.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,2mOhm; 18,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; AO4447A TAO4447a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
AO4447A Виробник : ALPHA&OMEGA AO4447A.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,2mOhm; 18,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; AO4447A TAO4447a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
AO4447A AO4447A.pdf
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AO4447A AO4447A Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 486921504916949ao4447a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AO4447A AO4447A Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao4447a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.