Інші пропозиції AO4459 за ціною від 8.04 грн до 68.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AO4459 | ALPHA&OMEGA |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 72mOhm; 6,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; AO4459 TAO4459кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AO4459 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2W Gate charge: 4.6nC Polarisation: unipolar Drain current: -5.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 On-state resistance: 46mΩ |
на замовлення 2217 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AO4459 | UMW |
Description: SOP-8 MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V |
на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AO4459 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 72mOhm; 6,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; AO4459 TAO4459
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 72mOhm; 6,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; AO4459 TAO4459
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.04 грн |
| AO4459 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 46mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 46mΩ
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 42.85 грн |
| 25+ | 17.27 грн |
| 41+ | 10.33 грн |
| 100+ | 9.31 грн |
| 500+ | 8.21 грн |
| AO4459 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Description: SOP-8 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.83 грн |
| 10+ | 41.67 грн |
| 50+ | 30.70 грн |
| 100+ | 25.47 грн |
| 500+ | 19.58 грн |




