Інші пропозиції AO4629 за ціною від 7.30 грн до 47.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AO4629 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/74mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4629 TAO4629кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO4629 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/74mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4629 TAO4629кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO4629 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO4629 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 5/-4.5A Gate charge: 2.55/4.6nC On-state resistance: 30/41mΩ Power dissipation: 1.3W Gate-source voltage: ±20V Kind of transistor: complementary pair |
на замовлення 21596 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AO4629 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 94096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AO4629 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/74mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4629 TAO4629
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/74mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4629 TAO4629
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.65 грн |
| AO4629 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/74mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4629 TAO4629
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/74mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4629 TAO4629
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.65 грн |
| AO4629 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.99 грн |
| 6000+ | 9.69 грн |
| 9000+ | 9.22 грн |
| 15000+ | 8.17 грн |
| 21000+ | 7.88 грн |
| 30000+ | 7.60 грн |
| 75000+ | 7.30 грн |
| AO4629 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5/-4.5A
Gate charge: 2.55/4.6nC
On-state resistance: 30/41mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of transistor: complementary pair
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5/-4.5A
Gate charge: 2.55/4.6nC
On-state resistance: 30/41mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 21596 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 20.74 грн |
| 40+ | 10.61 грн |
| 100+ | 9.33 грн |
| 500+ | 8.40 грн |
| 3000+ | 7.97 грн |
| AO4629 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 94096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.58 грн |
| 11+ | 28.33 грн |
| 100+ | 18.16 грн |
| 500+ | 12.94 грн |
| 1000+ | 11.62 грн |




