AO4828 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.28W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.28W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 52.54 грн |
| 21+ | 20.52 грн |
| 25+ | 18.59 грн |
| 100+ | 17.24 грн |
| 500+ | 16.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4828 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції AO4828 за ціною від 15.80 грн до 15.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO4828 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 4,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4828 TAO4828 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
AO4828 Код товару: 911
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||
 |
AO4828 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOIC |
товару немає в наявності |
|||||
 |
AO4828 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товару немає в наявності |