AO4828

AO4828 Alpha & Omega Semiconductor


ao4828.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOIC
на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO4828 Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції AO4828 за ціною від 13.49 грн до 63.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AO4828 AO4828 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F34AB7B0CCAA50&compId=AO4828-DTE.pdf?ci_sign=44e4362e3dc624d22a519b663b1f120b7de52787 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.28W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.28W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+52.59 грн
19+20.46 грн
25+18.53 грн
64+14.26 грн
175+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AO4828 AO4828 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F34AB7B0CCAA50&compId=AO4828-DTE.pdf?ci_sign=44e4362e3dc624d22a519b663b1f120b7de52787 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.28W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.28W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.11 грн
12+25.50 грн
25+22.23 грн
64+17.12 грн
175+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AO4828 Виробник : ALPHA&OMEGA AO4828.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 4,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4828 TAO4828
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AO4828 AO4828
Код товару: 911
Додати до обраних Обраний товар

AO4828.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AO4828 AO4828 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao4828.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AO4828 AO4828 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4828.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AO4828 AO4828 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4828.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.