AO4842
Код товару: 174151
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції AO4842 за ціною від 10.56 грн до 74.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AO4842 | ALPHA&OMEGA |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 7,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4842 TAO4842кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AO4842 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 1.44W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Power dissipation: 1.44W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2664 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AO4842 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AO4842 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 7,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4842 TAO4842
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 7,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4842 TAO4842
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 11.87 грн |
| AO4842 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 1.44W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.44W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 1.44W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.44W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 21.33 грн |
| 28+ | 14.94 грн |
| 85+ | 11.14 грн |
| 233+ | 10.56 грн |
| AO4842 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.05 грн |
| 10+ | 44.71 грн |
| 50+ | 33.01 грн |
| 100+ | 27.43 грн |
| 500+ | 21.18 грн |
З цим товаром купують
| B5819W Код товару: 210875
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Jiangsu
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-123
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 1 А
Падіння напруги Vf, В: 0,6 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 10 А
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-123
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 1 А
Падіння напруги Vf, В: 0,6 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 10 А
у наявності: 2826 шт
- 2826 шт - склад
на замовлення: 18 шт
- 18 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.75 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (0603B104K500 – Walsin) Код товару: 148421
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Walsin
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |





