AO4842
Код товару: 174151
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції AO4842
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
AO4842 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin SOIC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| AO4842 | AOS |
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
AO4842 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
AO4842 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
AO4842 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 1.44W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Power dissipation: 1.44W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| AO4842 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin SOIC
Trans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO4842 |
![]() |
Виробник: AOS
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC Транзистори
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AO4842 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AO4842 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AO4842 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 1.44W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.44W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 1.44W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.44W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
З цим товаром купують
| B5819W Код товару: 210875
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Jiangsu
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-123
Зворотня напруга Vrrm, V: 40 V
Прямий струм (per leg) If, A: 1 A
Падіння напруги Vf, V: 0,6 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, A: 10 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOD-123
Зворотня напруга Vrrm, V: 40 V
Прямий струм (per leg) If, A: 1 A
Падіння напруги Vf, V: 0,6 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, A: 10 A
у наявності: 18 шт
- 18 шт - склад
очікується: 9000 шт
- 9000 шт - очікується 25.07.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.75 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (0603B104K500 – Walsin) Код товару: 148421
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Walsin
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 16368 шт
- 12833 шт - склад
- 3085 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 450 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |






