Інші пропозиції AO4882 за ціною від 13.91 грн до 42.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AO4882 | ALPHA&OMEGA |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC AO4882 TAO4882кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
AO4882 | ALPHA&OMEGA |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC AO4882 TAO4882кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
AO4882 | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
AO4882 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 1.3W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 1.3W Gate charge: 3nC Polarisation: unipolar Drain current: 6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 On-state resistance: 19mΩ |
на замовлення 1646 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
| AO4882 | Alpha? Semiconductor |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 8 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 415 @ 20, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 19 мОм @ 8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| AO4882 |
![]() |
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.91 грн |
| AO4882 |
![]() |
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.91 грн |
| AO4882 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.67 грн |
| AO4882 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 1.3W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 19mΩ
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 1.3W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 19mΩ
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 23.93 грн |
| 25+ | 20.08 грн |
| 57+ | 17.18 грн |
| 156+ | 16.15 грн |
| AO4882 |
![]() |
Виробник: Alpha? Semiconductor
2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 8 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 415 @ 20, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 19 мОм @ 8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 8 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 415 @ 20, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 19 мОм @ 8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 42.62 грн |




