AO4892 ALPHA&OMEGA
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 126mOhm; 4A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4892 TAO4892
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 16.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4892 ALPHA&OMEGA
Description: MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції AO4892 за ціною від 12.96 грн до 55.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AO4892 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2888 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| AO4892 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 55.48 грн |
| 24+ | 17.62 грн |
| 27+ | 15.46 грн |
| 100+ | 14.13 грн |
| 500+ | 12.96 грн |