AO4892 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 53.37 грн |
| 24+ | 16.94 грн |
| 27+ | 14.87 грн |
| 100+ | 13.59 грн |
| 500+ | 12.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4892 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції AO4892 за ціною від 15.40 грн до 15.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO4892 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 126mOhm; 4A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4892 TAO4892 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
AO4892 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 4A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
AO4892 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товару немає в наявності |