Інші пропозиції AOD2N60 за ціною від 14.61 грн до 80.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOD2N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AOD2N60 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AOD2N60 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AOD2N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD2N60 TAOD2n60кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AOD2N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 56.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.4A Power dissipation: 56.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2501 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AOD2N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
на замовлення 34997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AOD2N60 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 20.58 грн |
| 5000+ | 18.27 грн |
| 7500+ | 17.49 грн |
| 12500+ | 15.58 грн |
| 17500+ | 15.09 грн |
| 25000+ | 14.61 грн |
| AOD2N60 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.62 грн |
| 5000+ | 22.59 грн |
| 7500+ | 21.46 грн |
| 12500+ | 19.50 грн |
| 17500+ | 17.37 грн |
| AOD2N60 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.62 грн |
| 5000+ | 22.59 грн |
| 7500+ | 21.46 грн |
| 12500+ | 19.50 грн |
| 17500+ | 17.37 грн |
| AOD2N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD2N60 TAOD2n60
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD2N60 TAOD2n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 25.42 грн |
| AOD2N60 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 62.64 грн |
| 14+ | 30.41 грн |
| 25+ | 27.34 грн |
| 100+ | 24.18 грн |
| 500+ | 22.85 грн |
| AOD2N60 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 34997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 80.77 грн |
| 10+ | 48.46 грн |
| 100+ | 31.79 грн |
| 500+ | 23.11 грн |
| 1000+ | 20.95 грн |






