Продукція > ALPHA&OMEGA > AOD3N50
AOD3N50

AOD3N50 ALPHA&OMEGA

info-taod3n50.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 3Ohm; 2,8A; 57W; -50°C ~ 150°C; AOD3N50 TAOD3n50
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOD3N50 ALPHA&OMEGA

Description: MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AOD3N50 за ціною від 18.51 грн до 81.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AOD3N50 AOD3N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD3N50.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.85 грн
5000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD3N50 AOD3N50 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.73 грн
16+27.15 грн
25+24.35 грн
100+21.55 грн
500+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD3N50 AOD3N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD3N50.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.67 грн
10+49.10 грн
100+32.20 грн
500+23.41 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD3N50 AOD3N50.pdf
AOD3N50
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.85 грн
5000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD3N50 AOD3N50.pdf
AOD3N50
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.73 грн
16+27.15 грн
25+24.35 грн
100+21.55 грн
500+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD3N50 AOD3N50.pdf
AOD3N50
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.67 грн
10+49.10 грн
100+32.20 грн
500+23.41 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.