Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOD3N50
AOD3N50

AOD3N50 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819636835B598259&compId=AOD3N50.pdf?ci_sign=98cb5a784ecf15141048f128d845a68d93ad707a Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.8A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Gate charge: 6.7nC
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.34 грн
16+24.52 грн
25+21.99 грн
45+20.31 грн
100+19.46 грн
123+19.16 грн
500+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOD3N50 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AOD3N50 за ціною від 9.95 грн до 77.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOD3N50 AOD3N50 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819636835B598259&compId=AOD3N50.pdf?ci_sign=98cb5a784ecf15141048f128d845a68d93ad707a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.8A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Gate charge: 6.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.41 грн
10+30.56 грн
25+26.39 грн
45+24.37 грн
100+23.36 грн
123+22.99 грн
500+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOD3N50 AOD3N50 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD3N50.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.99 грн
10+46.67 грн
100+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOD3N50 Виробник : ALPHA&OMEGA AOD3N50.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 3Ohm; 2,8A; 57W; -50°C ~ 150°C; AOD3N50 TAOD3n50
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AOD3N50 AOD3N50 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 169613903220115aou3n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD3N50 AOD3N50 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 169613903220115aou3n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD3N50 AOD3N50 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD3N50.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.