AOD4286 ALPHA&OMEGA
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 126mOhm; 14A; 30W; -55°C ~ 175°C; AOD4286 TAOD4286
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 15.94 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
28-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
50 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOD4286 ALPHA&OMEGA
Description: MOSFET N CH 100V 4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 50 V.
Інші пропозиції AOD4286 за ціною від 13.84 грн до 63.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOD4286 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 30W; TO252 Mounting: SMD Power dissipation: 30W Gate charge: 2.8nC Polarisation: unipolar Drain current: 10A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: TO252 On-state resistance: 68mΩ |
на замовлення 2366 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| AOD4286 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 30W; TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Gate charge: 2.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
On-state resistance: 68mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 30W; TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Gate charge: 2.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
On-state resistance: 68mΩ
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 63.22 грн |
| 15+ | 29.02 грн |
| 25+ | 17.44 грн |
| 100+ | 15.68 грн |
| 500+ | 13.84 грн |


