
AOD4286 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 14.15 грн |
5000+ | 13.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOD4286 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N CH 100V 4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 50 V.
Інші пропозиції AOD4286 за ціною від 13.52 грн до 78.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOD4286 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
AOD4286 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
AOD4286 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 481 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
AOD4286 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
AOD4286 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
AOD4286 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
AOD4286 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |