Інші пропозиції AOD480 за ціною від 13.44 грн до 25.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOD480 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 33mOhm; 25A; 21W; -55°C ~ 175°C; AOD480 TAOD480кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AOD480 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 21W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Power dissipation: 21W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AOD480 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
AOD480 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
AOD480 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |