Інші пропозиції AOD4N60 за ціною від 52.39 грн до 52.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOD4N60 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
 Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||
 |
AOD4N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
AOD4N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
AOD4N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
AOD4N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
AOD4N60 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; 104W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.6A Power dissipation: 104W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |