Продукція > ALPHA&OMEGA > AOD4N60

AOD4N60 ALPHA&OMEGA

Name: AOD4N60
Brand: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
SKU: 459515221-1
Price: 72375 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	47.68 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AOD4N60 ALPHA&OMEGA

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AOD4N60

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
AOD4N60 Код товару: 126928 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > Польові N-канальні	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AOD4N60	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AOD4N60	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AOD4N60	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AOD4N60	Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; 104W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.6A Power dissipation: 104W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AOD4N60	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AOD4N60	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AOD4N60	Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; 104W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.6A Power dissipation: 104W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.