AOD5N50 ALPHA&OMEGA
Виробник: ALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,6Ohm; 5A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD5N50 TAOD5n50
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 19.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOD5N50 ALPHA&OMEGA
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOD5N50 за ціною від 32.33 грн до 133.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOD5N50 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
AOD5N50 SMD N channel transistors |
на замовлення 213 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
|
AOD5N50 Код товару: 145010
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
AOD5N50 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
AOD5N50 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
AOD5N50 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |