AOD603A ALPHA&OMEGA
Виробник: ALPHA&OMEGATransistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm/180mOhm; 12A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C; AOD603A TAOD603a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 31.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOD603A ALPHA&OMEGA
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A TO252-4L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-4L.
Інші пропозиції AOD603A за ціною від 38.77 грн до 90.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOD603A | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
AOD603A Multi channel transistors |
на замовлення 520 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| AOD603A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||
| AOD603A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
AOD603A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
AOD603A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A TO252-4L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-4L |
товару немає в наявності |