Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AON6414A
AON6414A

AON6414A Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6414A.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.10 грн
6000+9.78 грн
9000+9.32 грн
15000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AON6414A Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AON6414A за ціною від 11.71 грн до 47.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AON6414A AON6414A Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6414A.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 15 V
на замовлення 19704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.62 грн
11+28.40 грн
100+18.25 грн
500+13.03 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AON6414A Виробник : ALPHA&OMEGA AON6414A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,4mOhm; 30A; 31W; -55°C ~ 150°C; AON6414A TAON6414a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AON6414A AON6414A
Код товару: 55750
Додати до обраних Обраний товар

AON6414A.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AON6414A AON6414A Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon6414a.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AON6414A AON6414A Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6414A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 12.5W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 12.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AON6414A AON6414A Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6414A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 12.5W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 12.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.