
AON7296 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 16.07 грн |
10000+ | 14.34 грн |
15000+ | 13.77 грн |
25000+ | 12.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON7296 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 20.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V.
Інші пропозиції AON7296 за ціною від 14.85 грн до 69.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AON7296 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AON7296 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V |
на замовлення 35965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
AON7296 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
AON7296 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
AON7296 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
AON7296 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 8.3W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8A Power dissipation: 8.3W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
AON7296 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 8.3W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8A Power dissipation: 8.3W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |