AON7430 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 9W; DFN3x3 EP
Case: DFN3x3 EP
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 9W
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 19.61 грн |
| 38+ | 11.08 грн |
| 100+ | 9.82 грн |
| 500+ | 8.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON7430 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/34A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.
Інші пропозиції AON7430 за ціною від 13.78 грн до 13.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AON7430 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 34A; 23W; -55°C ~ 150°C; AON7430 TAON7430 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
|
AON7430 Код товару: 167193
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||
 |
AON7430 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/34A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
товару немає в наявності |