AONS1R6A70 ALPHA&OMEGA


TAONS1R6A70_0001.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
700V, A MOS TM N-CHANNEL POWER T AONS1R6A70 TAONS1R6A70
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+141.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AONS1R6A70 ALPHA&OMEGA

Description: MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 100 V.

Інші пропозиції AONS1R6A70 за ціною від 39.99 грн до 142.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
AONS1R6A70 AONS1R6A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS1R1A70.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.19 грн
10+87.30 грн
100+58.75 грн
500+43.68 грн
1000+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS1R6A70 AONS1R1A70.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+142.19 грн
10+87.30 грн
100+58.75 грн
500+43.68 грн
1000+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.