AONV210A60 ALPHA&OMEGA
Виробник: ALPHA&OMEGA
600V, A MOS5 TM N-CHANNEL POWER AONV210A60 TAONV210A60
кількість в упаковці: 2 шт
600V, A MOS5 TM N-CHANNEL POWER AONV210A60 TAONV210A60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 428.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AONV210A60 ALPHA&OMEGA
Description: MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-DFN (8x8), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V.
Інші пропозиції AONV210A60
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
AONV210A60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | N Channel Power Transistor |
товар відсутній |
||
AONV210A60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V |
товар відсутній |
||
AONV210A60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V |
товар відсутній |