Продукція > ALPHA&OMEGA > AONV210A60

AONV210A60 ALPHA&OMEGA

Виробник: ALPHA&OMEGA
600V, A MOS5 TM N-CHANNEL POWER AONV210A60 TAONV210A60
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	402.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AONV210A60 ALPHA&OMEGA

Description: MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-DFN (8x8), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V.

Інші пропозиції AONV210A60

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
AONV210A60	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor	N Channel Power Transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AONV210A60	Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 208W; DFN8x8 Mounting: SMD On-state resistance: 0.21Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 208W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: DFN8x8 Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A кількість в упаковці: 3500 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AONV210A60	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Description: MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AONV210A60	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Description: MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DFN (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AONV210A60	Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 208W; DFN8x8 Mounting: SMD On-state resistance: 0.21Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 208W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: DFN8x8 Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.