AOT10B60D ALPHA&OMEGA
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C; AOT10B60D TAOT10b60d
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 53.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT10B60D ALPHA&OMEGA
Description: IGBT 600V 20A TO-220, Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V, Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns, Supplier Device Package: TO-220, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 163 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Part Status: Not For New Designs, Gate Charge: 17.4 nC.
Інші пропозиції AOT10B60D за ціною від 86.42 грн до 126.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOT10B60D | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO220; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.26mJ Mounting: THT Type of transistor: IGBT Case: TO220 Kind of package: tube Gate charge: 17.4nC Turn-on time: 25ns Turn-off time: 80.8ns Turn-off switching energy: 0.07mJ Turn-on switching energy: 0.26mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.53V Collector current: 10A Power dissipation: 82W Pulsed collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
на замовлення 715 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| AOT10B60D |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO220; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.26mJ
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO220
Kind of package: tube
Gate charge: 17.4nC
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 80.8ns
Turn-off switching energy: 0.07mJ
Turn-on switching energy: 0.26mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.53V
Collector current: 10A
Power dissipation: 82W
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO220; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.26mJ
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO220
Kind of package: tube
Gate charge: 17.4nC
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 80.8ns
Turn-off switching energy: 0.07mJ
Turn-on switching energy: 0.26mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.53V
Collector current: 10A
Power dissipation: 82W
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 126.18 грн |
| 5+ | 103.04 грн |
| 25+ | 93.07 грн |
| 100+ | 86.42 грн |