Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOT10B60D
AOT10B60D

AOT10B60D ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

AOT10B60D.pdf Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO220; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.26mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 82W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 17.4nC
Kind of package: tube
Turn-on switching energy: 0.26mJ
Turn-off switching energy: 0.07mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.53V
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 80.8ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+296.39 грн
5+124.80 грн
11+103.66 грн
30+98.16 грн
500+94.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOT10B60D ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: IGBT 600V 20A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns, Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 17.4 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 163 W.

Інші пропозиції AOT10B60D за ціною від 50.94 грн до 411.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOT10B60D AOT10B60D Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10B60D.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO220; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.26mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 82W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 17.4nC
Kind of package: tube
Turn-on switching energy: 0.26mJ
Turn-off switching energy: 0.07mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.53V
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 80.8ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOT10B60D Виробник : ALPHA&OMEGA TO220.pdf Transistor IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;   AOT10B60D TAOT10b60d
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOT10B60D AOT10B60D Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 590aot10b60d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOT10B60D AOT10B60D Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aot10b60d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOT10B60D AOT10B60D Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO220.pdf Description: IGBT 600V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns
Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17.4 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 163 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.