AOT15B60D ALPHA&OMEGA
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor IGBT; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C; AOT15B60D TAOT15b60d
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 75.64 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
28-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT15B60D ALPHA&OMEGA
Description: IGBT 600V 30A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 196 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/73ns, Switching Energy: 420µJ (on), 110µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 25.4 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 167 W.
Інші пропозиції AOT15B60D за ціною від 98.96 грн до 117.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOT15B60D | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO220; Eoff: 0.11mJ; Eon: 0.42mJ Type of transistor: IGBT Power dissipation: 83.3W Case: TO220 Mounting: THT Gate charge: 25.4nC Turn-off time: 83ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter saturation voltage: 1.6V Collector current: 15A Turn-off switching energy: 0.11mJ Turn-on switching energy: 0.42mJ Collector-emitter voltage: 600V Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 40ns Kind of package: tube |
на замовлення 838 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| AOT15B60D |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO220; Eoff: 0.11mJ; Eon: 0.42mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83.3W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Turn-off time: 83ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.6V
Collector current: 15A
Turn-off switching energy: 0.11mJ
Turn-on switching energy: 0.42mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO220; Eoff: 0.11mJ; Eon: 0.42mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83.3W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Turn-off time: 83ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.6V
Collector current: 15A
Turn-off switching energy: 0.11mJ
Turn-on switching energy: 0.42mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Kind of package: tube
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 117.41 грн |
| 5+ | 101.48 грн |
| 25+ | 98.96 грн |