Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOT1N60
AOT1N60

AOT1N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F3554C061F6A50&compId=AOT1N60-DTE.pdf?ci_sign=445bf15263ae3e85d94e852a3de628d198debec1 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.9A; 41.7W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.02 грн
12+34.19 грн
40+23.58 грн
109+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOT1N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V, Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AOT1N60 за ціною від 16.32 грн до 84.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOT1N60 AOT1N60 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F3554C061F6A50&compId=AOT1N60-DTE.pdf?ci_sign=445bf15263ae3e85d94e852a3de628d198debec1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.9A; 41.7W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.82 грн
10+42.61 грн
40+28.30 грн
109+26.69 грн
500+26.32 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOT1N60 AOT1N60 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO220.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.08 грн
50+37.48 грн
100+33.22 грн
500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOT1N60 Виробник : ALPHA&OMEGA TO220.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 9Ohm; 1,3A; 41,7W; -55°C ~ 150°C; AOT1N60 TAOT1n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.