AOT1N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.9A; 41.7W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 43.38 грн |
| 13+ | 33.82 грн |
| 50+ | 30.47 грн |
| 100+ | 26.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT1N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V, Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOT1N60 за ціною від 16.68 грн до 74.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOT1N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| AOT1N60 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 9Ohm; 1,3A; 41,7W; -55°C ~ 150°C; AOT1N60 TAOT1n60 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|