AOT1N60 ALPHA&OMEGA
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 9Ohm; 1,3A; 41,7W; -55°C ~ 150°C; AOT1N60 TAOT1n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT1N60 ALPHA&OMEGA
Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V, Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOT1N60 за ціною від 29.28 грн до 74.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOT1N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AOT1N60 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.9A; 41.7W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.9A Power dissipation: 41.7W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.1nC |
товару немає в наявності |