Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOT410L
AOT410L

AOT410L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F3553352904A50&compId=AOT410L-DTE.pdf?ci_sign=73722ab2d2980d6876008ba98c2ddf7f148fd611 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 167W; TO220
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 167W
Drain current: 108A
Case: TO220
Kind of channel: enhancement
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.75 грн
5+124.63 грн
25+109.55 грн
100+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOT410L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/150A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 50 V.

Інші пропозиції AOT410L за ціною від 108.10 грн до 246.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOT410L AOT410L Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F3553352904A50&compId=AOT410L-DTE.pdf?ci_sign=73722ab2d2980d6876008ba98c2ddf7f148fd611 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 167W; TO220
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 167W
Drain current: 108A
Case: TO220
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.50 грн
5+155.31 грн
25+131.46 грн
100+119.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOT410L AOT410L Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT410L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/150A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 50 V
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.48 грн
50+119.55 грн
100+108.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOT410L Виробник : ALPHA&OMEGA AOT410L.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 11mOhm; 150A; 333W; -55°C ~ 175°C; AOT410L TAOT410l
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOT410L AOT410L Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aot410l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOT410L AOT410L Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 51aot410l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.