AOT7N65

AOT7N65 ALPHA&OMEGA


info-taot7n65.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOT7N65 ALPHA&OMEGA

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції AOT7N65 за ціною від 42.94 грн до 68.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOT7N65 AOT7N65 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.51 грн
8+56.75 грн
25+50.06 грн
100+45.70 грн
250+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOT7N65 Виробник : AOS TO220.pdf N-MOSFET 650V 7A TO-220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOT7N65 AOT7N65 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO220.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.