AOTF11N70 ALPHA&OMEGA
Виробник: ALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 870mOhm; 11A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF11N70 TAOTF11n70
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 60.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOTF11N70 ALPHA&OMEGA
Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOTF11N70 за ціною від 55.17 грн до 86.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOTF11N70 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 870mOhm; 11A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF11N70 TAOTF11n70 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| AOTF11N70 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
AOTF11N70 THT N channel transistors |
на замовлення 58 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
AOTF11N70 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
AOTF11N70 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
AOTF11N70 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |