AOTS21311C Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.53 грн |
| 6000+ | 10.14 грн |
| 9000+ | 9.66 грн |
| 15000+ | 8.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOTS21311C Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AOTS21311C за ціною від 7.42 грн до 50.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOTS21311C | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 5.9A; 2.5W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.9A Power dissipation: 2.5W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AOTS21311C | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 5.9A; 2.5W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.9A Power dissipation: 2.5W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 663 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AOTS21311C | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V |
на замовлення 20401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AOTS21311C | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
P-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |