на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2705.38 грн |
| 100+ | 2311.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10M11JVRU2 Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 106A, On-state resistance: 11mΩ, Power dissipation: 450W, Case: ISOTOP, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: boost chopper, Pulsed drain current: 576A, Semiconductor structure: diode/transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10M11JVRU2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT10M11JVRU2 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT10M11JVRU2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 576A Semiconductor structure: diode/transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT10M11JVRU2 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 |
товару немає в наявності |
|
| APT10M11JVRU2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 576A Semiconductor structure: diode/transistor |
товару немає в наявності |