на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2170.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10M11JVRU2 Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Technology: POWER MOS 5®, Case: ISOTOP, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Semiconductor structure: diode/transistor, On-state resistance: 11mΩ, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Topology: boost chopper, Drain current: 106A, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 576A, Power dissipation: 450W.
Інші пропозиції APT10M11JVRU2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT10M11JVRU2 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT10M11JVRU2 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 |
товару немає в наявності |
|
| APT10M11JVRU2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Technology: POWER MOS 5® Case: ISOTOP Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: diode/transistor On-state resistance: 11mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Topology: boost chopper Drain current: 106A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 576A Power dissipation: 450W |
товару немає в наявності |