APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2 Microchip Technology


APT10M11JVRU2_Rev2-3444644.pdf Виробник: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-5-SOT227
на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2637.54 грн
100+2253.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT10M11JVRU2 Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 106A, On-state resistance: 11mΩ, Power dissipation: 450W, Case: ISOTOP, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: boost chopper, Pulsed drain current: 576A, Semiconductor structure: diode/transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT10M11JVRU2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU2 Виробник : Microchip Technology 6593-apt10m11jvru2-rev1-pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11JVRU2 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY APT10M11JVRU2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: boost chopper
Pulsed drain current: 576A
Semiconductor structure: diode/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU2 Виробник : Microsemi Corporation APT10M11JVRU2.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10M11JVRU2 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY APT10M11JVRU2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: boost chopper
Pulsed drain current: 576A
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.