APT10M11JVRU2 Microchip Technology
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2461.3 грн |
| 10+ | 2425.37 грн |
| 100+ | 1990.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10M11JVRU2 Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Mechanical mounting: screw, Gate-source voltage: ±30V, Topology: boost chopper, Pulsed drain current: 576A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 106A, On-state resistance: 11mΩ, Power dissipation: 450W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10M11JVRU2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT10M11JVRU2 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
| APT10M11JVRU2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Mechanical mounting: screw Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 576A Case: ISOTOP Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT10M11JVRU2 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 |
товар відсутній |
|
| APT10M11JVRU2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Mechanical mounting: screw Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 576A Case: ISOTOP Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® |
товар відсутній |