APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3 Microchip Technology


APT10M11JVRU3_Rev2-1855561.pdf Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules CC9519
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2291.58 грн
100+ 1958.63 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT10M11JVRU3 Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Mechanical mounting: screw, Gate-source voltage: ±30V, Topology: buck chopper, Pulsed drain current: 576A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 106A, On-state resistance: 11mΩ, Power dissipation: 450W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT10M11JVRU3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT10M11JVRU3 Виробник : Microsemi 59547 Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10M11JVRU3 APT10M11JVRU3 Виробник : Microchip Technology 6594-apt10m11jvru3-rev1-pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10M11JVRU3 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) APT10M11JVRU3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Mechanical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Topology: buck chopper
Pulsed drain current: 576A
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 5®
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M11JVRU3 APT10M11JVRU3 Виробник : Microsemi Corporation APT10M11JVRU3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
товар відсутній
APT10M11JVRU3 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) APT10M11JVRU3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Mechanical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Topology: buck chopper
Pulsed drain current: 576A
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 5®
товар відсутній