Технічний опис APT15F50K Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 223W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220 [K], Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT15F50K
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT15F50K | Виробник : MICROSEMI |
 TO220AB/15 A, 500 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT15F50кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT15F50K | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220 [K] Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| APT15F50K | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET Power FREDFET - MOS8 |
товар відсутній |