Продукція > MICROCHIP / MICROSEMI > APT20M22JVRU2

APT20M22JVRU2 Microchip / Microsemi

Виробник: Microchip / Microsemi
MOSFET CC0011

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT20M22JVRU2 Microchip / Microsemi

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 200V; 72A; ISOTOP; screw; Idm: 388A; 450W, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 72A, On-state resistance: 22mΩ, Power dissipation: 450W, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: boost chopper, Pulsed drain current: 388A, Case: ISOTOP, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT20M22JVRU2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT20M22JVRU2	Виробник : Microchip Technology	Trans MOSFET N-CH 200V 97A 4-Pin SOT-227 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT20M22JVRU2	Виробник : Microchip Technology	Trans MOSFET N-CH 200V 97A 4-Pin SOT-227 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT20M22JVRU2	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 200V; 72A; ISOTOP; screw; Idm: 388A; 450W Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 72A On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 450W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 388A Case: ISOTOP кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT20M22JVRU2	Виробник : Microsemi Corporation	Description: MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT20M22JVRU2	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 200V; 72A; ISOTOP; screw; Idm: 388A; 450W Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 72A On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 450W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 388A Case: ISOTOP	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.