Технічний опис APT36N90BC3G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7463 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT36N90BC3G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APT36N90BC3G | Виробник : MICROSEMI |
TO247/POWER MOSFET - COOLMOS APT36 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
APT36N90BC3G | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7463 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
APT36N90BC3G | Виробник : Microchip / Microsemi | MOSFET Power MOSFET - CoolMOS |
товару немає в наявності |