APT40GR120B2SCD10 MICROSEMI
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT40GR120B2SCD10 MICROSEMI
Description: IGBT NPT 1200V 88A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/166ns, Switching Energy: 929µJ (on), 1070µJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 500 W.
Інші пропозиції APT40GR120B2SCD10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT40GR120B2SCD10 | Виробник : Microsemi |
 IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
APT40GR120B2SCD10 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 88A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT40GR120B2SCD10 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: IGBT NPT 1200V 88A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/166ns Switching Energy: 929µJ (on), 1070µJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W |
товару немає в наявності |