APT68GA60B Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 121A 520W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/133ns
Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 298 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 121 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 202 A
Power - Max: 520 W
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 643.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT68GA60B Microchip Technology
Description: IGBT 600V 121A 520W TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/133ns, Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 298 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 121 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 202 A, Power - Max: 520 W.
Інші пропозиції APT68GA60B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT68GA60B | Виробник : Microsemi |
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
|
APT68GA60B Код товару: 133965
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||
| APT68GA60B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT68GA60B THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |