Продукція > APT68GA60B
APT68GA60B
Код товару: 133965
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції APT68GA60B за ціною від 641.94 грн до 641.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT68GA60B | Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 121A 520W TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 21ns/133ns Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 298 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 121 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 202 A Power - Max: 520 W |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| APT68GA60B | Microsemi |
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single |
на замовлення 30 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT68GA60B |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT 600V 121A 520W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/133ns
Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 298 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 121 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 202 A
Power - Max: 520 W
Description: IGBT 600V 121A 520W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/133ns
Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 298 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 121 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 202 A
Power - Max: 520 W
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 641.94 грн |
| APT68GA60B |
|
Виробник: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
на замовлення 30 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)