APT68GA60B

APT68GA60B Microchip Technology


123653-apt68ga60b-apt68ga60s-datasheet Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT 600V 121A 520W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/133ns
Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 298 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 121 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 202 A
Power - Max: 520 W
на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+581.69 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT68GA60B Microchip Technology

Description: IGBT 600V 121A 520W TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/133ns, Switching Energy: 715µJ (on), 607µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 298 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 121 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 202 A, Power - Max: 520 W.

Інші пропозиції APT68GA60B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT68GA60B Виробник : Microsemi APT68GA60B_S_D-600378.pdf IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT68GA60B
Код товару: 133965
123653-apt68ga60b-apt68ga60s-datasheet Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
APT68GA60B Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 123653-apt68ga60b-apt68ga60s-datasheet APT68GA60B THT IGBT transistors
товар відсутній