НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
APT-01INKEL PA CORPORATIONAPT-01 CEILING SPEAKER. Частотний діапазон: 320Гц-20кГц, Чутливість: 90дБ, Потужність: 1Вт. Габарити: В120 x Ш120 x Г45, Вага: 0,35 кг
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
APT-01RINKEL PA CORPORATIONAPT-01R CEILING SPEAKER. Частотний діапазон: 120Гц-20кГц, Чутливість: 91дБ, Потужність: 1Вт, 3Вт, 6Вт. Габарити: Д103 x Г80, Вага: 0,5 кг
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
APT-106Abracon CorporationTelecom Transformer 1CT:1CT 1.5Ohm Prim. DCR 1.5Ohm Sec. DCR 16 Terminal Gull Wing SMD
товар відсутній
APT-106ABRACONAudio Transformers / Signal Transformers 10/100Base-T Single Port LAN Transformer Extended Temperature
товар відсутній
APT-106Abracon LLCDescription: LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP
Packaging: Tube
товар відсутній
APT-106-TABRACONAudio Transformers / Signal Transformers LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP
товар відсутній
APT-106-TAbracon LLCDescription: LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
APT-10AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 10A 48VDC BLADE MICRO
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT-10AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 10A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Type of fuse: fuse
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Current rating: 10A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Fuse size: 9.1mm
Manufacturer series: MICRO2
Colour: red
товар відсутній
APT-10AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 10A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Type of fuse: fuse
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Current rating: 10A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Fuse size: 9.1mm
Manufacturer series: MICRO2
Colour: red
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
APT-15AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 15A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Type of fuse: fuse
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Current rating: 15A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Fuse size: 9.1mm
Manufacturer series: MICRO2
Colour: blue
товар відсутній
APT-15AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 15A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Type of fuse: fuse
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Current rating: 15A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Fuse size: 9.1mm
Manufacturer series: MICRO2
Colour: blue
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
APT-15AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 15A 48VDC BLADE MICRO
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT-2012SRC-PRVKingbrightLED Low-Power Uni-Color SB. Red 655nm 1.85V 2-Pin Chip LED T/R
товар відсутній
APT-20AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 20A 48VDC BLADE MICRO
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT-20AOPTIFUSEAPT-20A Other Car Fuses
товар відсутній
APT-25AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 25A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Current rating: 25A
Manufacturer series: MICRO2
Colour: colourless
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Fuse size: 9.1mm
Kind of fuse: automotive
Rated voltage: 48V DC
Type of fuse: fuse
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
APT-25AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 25A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Current rating: 25A
Manufacturer series: MICRO2
Colour: colourless
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Fuse size: 9.1mm
Kind of fuse: automotive
Rated voltage: 48V DC
Type of fuse: fuse
товар відсутній
APT-25AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 25A 48VDC BLADE MICRO
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT-30AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 30A 48VDC BLADE MICRO
Packaging: Bulk
Package / Case: Blade, Micro
Color: Green
Size / Dimension: 0.358" L x 0.150" W x 0.311" H (9.10mm x 3.80mm x 7.90mm)
Fuse Type: Automotive
Mounting Type: Requires Holder
Operating Temperature: -45°C ~ 125°C
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 1kA
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 30 A
Voltage Rating - DC: 48 V
на замовлення 5526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.92 грн
10+ 54.96 грн
25+ 53.26 грн
50+ 42.15 грн
100+ 34.51 грн
250+ 31.3 грн
500+ 25.81 грн
1000+ 22.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
APT-30AOPTIFUSEAPT-30A Other Car Fuses
товар відсутній
APT-5AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 5A 48VDC BLADE MICRO
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT-5AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 5A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Type of fuse: fuse
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Current rating: 5A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Fuse size: 9.1mm
Manufacturer series: MICRO2
Colour: beige
товар відсутній
APT-5AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 5A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Type of fuse: fuse
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
Current rating: 5A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Fuse size: 9.1mm
Manufacturer series: MICRO2
Colour: beige
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
APT-7.5AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 7.5A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Manufacturer series: MICRO2
Fuse size: 9.1mm
Type of fuse: fuse
Current rating: 7.5A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Colour: brown
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
APT-7.5AOptiFuseDescription: FUSE AUTO 7.5A 48VDC BLADE MICRO
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT-7.5AOPTIFUSECategory: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 7.5A; 48VDC; automotive; 9.1mm; MICRO2
Manufacturer series: MICRO2
Fuse size: 9.1mm
Type of fuse: fuse
Current rating: 7.5A
Rated voltage: 48V DC
Kind of fuse: automotive
Colour: brown
Breaking capacity: 1kA / 48V DC
товар відсутній
APT-A1500APPLETEC20221206002 Male Power Connector V2.01.5m Cable length
товар відсутній
APT-C59ABB Power Electronics Inc.Description: EZ APTC59 CAUTION TAG MEN WORKIN
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT-CNOCAltechThermostats Panel Thermostat NO, Cooling
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3545.43 грн
5+ 3335.55 грн
10+ 2624.87 грн
25+ 2417.5 грн
APT-CNOCAltech CorporationDescription: THERMOSTAT ADJ SPST-NO MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: DIN Rail
Circuit: SPST-NO
Termination Style: Screw Terminal
Switching Temperature: Adjustable
Current Rating - AC: 15A (250V)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2742.15 грн
10+ 2200.58 грн
25+ 1949.08 грн
APT-CNOFAltech CorporationDescription: THERMOSTAT ADJ SPST-NO MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: DIN Rail
Circuit: SPST-NO
Termination Style: Screw Terminal
Switching Temperature: Adjustable
Current Rating - AC: 15A (250V)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2742.15 грн
10+ 2200.58 грн
25+ 1949.08 грн
APT-CNOFAltechThermostats Panel Thermostat NO, Cooling
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3545.43 грн
5+ 3335.55 грн
10+ 2624.87 грн
25+ 2417.5 грн
APT-HNCCAltech CorporationDescription: THERMOSTAT ADJ SPST-NC MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: DIN Rail
Circuit: SPST-NC
Termination Style: Screw Terminal
Switching Temperature: Adjustable
Current Rating - AC: 15A (250V)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2742.15 грн
10+ 2200.58 грн
25+ 1949.08 грн
APT-HNCCAltechThermostats Panel Thermostat NC, Heating
товар відсутній
APT-HNCFAltech CorporationDescription: THERMOSTAT ADJ SPST-NC MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: DIN Rail
Circuit: SPST-NC
Termination Style: Screw Terminal
Switching Temperature: Adjustable
Current Rating - AC: 15A (250V)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2837.27 грн
10+ 2276.8 грн
25+ 2016.61 грн
APT-HNCFAltechThermostats Panel Thermostat NC, Heating
товар відсутній
APT-MEPhoenix ContactConnector Accessories Cover Profile Carrier Polyamide Gray
товар відсутній
APT-XSilicon LabsSilicon Laboratories APT-X software add-on for WT32
товар відсутній
APT06DC60HJMicrosemi Power Products GroupDescription: DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227
товар відсутній
APT06DC60HJMicrosemiDiode Rectifier Bridge Single 600V 6A 4-Pin SOT-227
товар відсутній
APT1001R1AVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001R1BNAPTTO247 09+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001R1BNMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
APT1001R1BVFR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001R1HVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001R3BN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001R6BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 266W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
товар відсутній
APT1001R6BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 266W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1001R6BFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT1001R6BN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001R6SFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товар відсутній
APT1001RBLC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001RBNMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
APT1001RBN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001RBNMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товар відсутній
APT1001RBVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001RBVFRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
товар відсутній
APT1001RBVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
товар відсутній
APT1001RBVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT1001RBVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
товар відсутній
APT1001RBVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT1001RBVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1001RBVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT1001RBVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT1001RBVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001RBVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.52 грн
APT1001RBVRGMicrosemiTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1156.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
APT1001RBVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT1001RBVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1001RBVRGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS5 1000 V 1 Ohm TO-247
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1002.92 грн
100+ 853.51 грн
APT1001RBVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT1001RBVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
товар відсутній
APT1001RBVRGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS5 APT1001
кількість в упаковці: 30 шт
товар відсутній
APT1001RSLC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001RSVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001RSVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1001RSVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1358.18 грн
2+ 1192.81 грн
APT1001RSVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 11A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1629.82 грн
2+ 1486.43 грн
APT1001RSVRGMICROSEMIPower MOSFET Transistor APT1001
кількість в упаковці: 31 шт
товар відсутній
APT1001RSVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 11A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT10021JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; ISOTOP; screw; Idm: 148A; 694W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 148A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
On-state resistance: 0.21Ω
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10021JFLLMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 1000V, 0.21_OHM, SOT-227
товар відсутній
APT10021JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 37A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10021JFLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6633.55 грн
APT10021JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; ISOTOP; screw; Idm: 148A; 694W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 148A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
On-state resistance: 0.21Ω
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT10021JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 37A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10021JLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
товар відсутній
APT10021JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; ISOTOP; screw; Idm: 148A; 694W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 148A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
On-state resistance: 0.21Ω
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10021JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 37A; ISOTOP; screw; Idm: 148A; 694W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 148A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 37A
On-state resistance: 0.21Ω
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT10021JLLMICROSEMIISOTOP/POWER MOSFET - MOS7 APT10021
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
APT10021JLLMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1000V, 0.21_OHM, SOT-227
товар відсутній
APT10025JLC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10025JNAPT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10025JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; screw; Idm: 136A; 700W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 136A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 34A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10025JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; screw; Idm: 136A; 700W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 136A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 34A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT10025JVFRMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 1000V, 0.25_OHM, SOT-227
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7021.2 грн
100+ 6358.68 грн
APT10025JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 34A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10025JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 34A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10025JVRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; screw; Idm: 136A; 700W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 136A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 34A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10025JVRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; screw; Idm: 136A; 700W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 136A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 34A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT10025JVRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 34A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 990 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5669.58 грн
APT10025JVRMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules Power Mos V N-CH 1KV 34A 4-Pin
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5960.09 грн
10+ 5411.6 грн
25+ 4544.96 грн
100+ 4313.32 грн
APT10025PVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10026JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 595W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 120A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 595W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT10026JFLLMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 1000V, 0.26_OHM, SOT-227
товар відсутній
APT10026JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 595W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 120A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 595W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10026JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 30A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10026JLLMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1000V, 0.26_OHM, SOT-227
товар відсутній
APT10026JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 595W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 120A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.26Ω
Power dissipation: 595W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10026JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 30A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10026JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 595W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 120A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.26Ω
Power dissipation: 595W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT10026JNMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 33A 4-Pin SOT-227
товар відсутній
APT10026JNAPT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10026L2FLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10026L2FLLGMICROSEMIкількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10026L2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX
Case: TO264MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 152A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.26Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 267nC
товар відсутній
APT10026L2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
товар відсутній
APT10026L2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX
Case: TO264MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 152A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.26Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 267nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10026L2FLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-264 MAX, RoHS
товар відсутній
APT10026L2LL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10026L2LLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
товар відсутній
APT10026L2LLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-264 MAX, RoHS
товар відсутній
APT10026L2LLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX
Case: TO264MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 152A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.26Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 267nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10026L2LLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX
Case: TO264MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 152A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.26Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 267nC
товар відсутній
APT1002R4BN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1002RBN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1002RCN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10030
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10030L2VFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10030L2VR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10035B2FLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10035B2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 186nC
товар відсутній
APT10035B2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 186nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10035B2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 28A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товар відсутній
APT10035B2FLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET,1000V, TO-247 T-MAX, RoHS
товар відсутній
APT10035B2LL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10035JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 370mΩ
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT10035JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10035JFLLMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10035JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 370mΩ
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10035JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10035JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10035JLLMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1000V, 0.35_OHM, SOT-227
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3877.7 грн
10+ 3821.55 грн
100+ 3052.72 грн
APT10035JLLMICROSEMIISOTOP/POWER MOSFET - MOS7 APT10035
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10035JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT10035JLL
Код товару: 117751
Транзистори > IGBT
товар відсутній
APT10035LFLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10035LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 186nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10035LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 186nC
товар відсутній
APT10035LFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 28A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
APT10035LFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-264, RoHS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10035LLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10035LLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 186nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10035LLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 28A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT10035LLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10035LLLGMICROSEMITO264/POWER MOSFET - MOS7 APT10035
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
APT10035LLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 186nC
товар відсутній
APT1003RBFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
товар відсутній
APT1003RBFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1003RBFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+836.02 грн
10+ 823.32 грн
100+ 656.87 грн
APT1003RBLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1003RBLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
товар відсутній
APT1003RBLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1003RBLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 694 pF @ 25 V
товар відсутній
APT1003RKLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1003RKLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1003RKLLGMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1000V, TO-220, RoHS
товар відсутній
APT1003RKLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
товар відсутній
APT1003RSFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, D3, RoHS, TO-268
товар відсутній
APT1003RSFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
товар відсутній
APT1003RSFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3 [S]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 694 pF @ 25 V
товар відсутній
APT1003RSFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1003RSFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, D3, RoHS, TO-268
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+852.1 грн
100+ 726.73 грн
APT1003RSFLLG/TRMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS7 1000 V 3 Ohm TO-268 Tape & Reel
товар відсутній
APT1003RSLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1003RSLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3 [S]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 694 pF @ 25 V
товар відсутній
APT1003RSLLGMicrosemiTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT1003RSLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1003RSLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT1003RSLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
товар відсутній
APT10040B2VFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10040B2VFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 25A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
товар відсутній
APT10040B2VR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10040LVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10040LVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 25A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
APT10040LVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
товар відсутній
APT10040LVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10043JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10043JVRMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1000V, 0.43_OHM, SOT-227
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10043JVRAPT
на замовлення 672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10045B2FLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10045B2FLLGMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 1000V, TO-247 T-MAX, RoHS
товар відсутній
APT10045B2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.46Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
товар відсутній
APT10045B2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 23A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товар відсутній
APT10045B2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.46Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10045B2LL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10045B2LLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
товар відсутній
APT10045B2LLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10045B2LLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 23A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товар відсутній
APT10045B2LLGMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS7
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10045JFLLMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS7
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10045JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 21A; ISOTOP; screw; Idm: 84A; 460W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.46Ω
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT10045JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 21A; ISOTOP; screw; Idm: 84A; 460W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.46Ω
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10045JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10045JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 21A; ISOTOP; screw; Idm: 84A; 460W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT10045JLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 21A; ISOTOP; screw; Idm: 84A; 460W
Type of module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10045JLLMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET,1000V, 0.45_OHM, SOT-227
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3175.65 грн
100+ 2703.16 грн
APT10045JLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10045JLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2982.79 грн
APT10045JLLMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET,1000V, 0.45_OHM, SOT-227
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10045LFLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10045LFLLGMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET,1000V, TO-264, RoHS
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10045LFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 23A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1538.83 грн
APT10045LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10045LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10045LLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10045LLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10045LLLGMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS
товар відсутній
APT10045LLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1004R2BN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1004R2KN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1004RANAPT0415
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1004RANAPT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1004RBN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1004RCN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1004RGN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1004RGNTXMicrochip TechnologyPower Mos N Channel Enhancement Mode High Voltage Power Mosfets
товар відсутній
APT1004RKN
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10050B2LC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10050B2VFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10050B2VFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10050B2VFRGMICROSEMIT-MAX/POWER FREDFET - MOS5 APT10050
кількість в упаковці: 30 шт
товар відсутній
APT10050B2VFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247 T-MAX, RoHS
товар відсутній
APT10050B2VFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10050B2VR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10050B2VRGMICROSEMIT-MAX/POWER MOSFET - MOS5 APT10050
кількість в упаковці: 30 шт
товар відсутній
APT10050B2VRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
товар відсутній
APT10050B2VRGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS 5 1000V 21A
товар відсутній
APT10050JLC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10050JNAPT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10050JNMicrochip TechnologyMicrochip Technology
товар відсутній
APT10050JNAPTMODULE
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10050JVFRMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, 0.50_OHM, SOT-227
товар відсутній
APT10050JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 19A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10050JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10050JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT10050JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 19A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10050JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 19A 4-Pin SOT-227
товар відсутній
APT10050JVRAPT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10050JVRFAPT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10050LLC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10050LVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10050LVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
APT10050LVFRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-264, RoHS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1809.08 грн
100+ 1539.49 грн
APT10050LVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1648.27 грн
APT10050LVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1897.77 грн
2+ 1665.84 грн
APT10050LVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2277.33 грн
2+ 2075.89 грн
APT10050LVFRGMicrochip Technology / AtmelAluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded RADIAL
товар відсутній
APT10050LVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
APT10050LVRIXYS
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10050LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10050LVRGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS5 1000 V 50 Ohm TO-264
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1706.49 грн
100+ 1452.7 грн
APT10050LVRGMICROSEMITO264/POWER MOSFET - MOS5 APT10050
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
APT10050LVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
APT10050LVRGMicrochip Technology / AtmelMOSFET FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
1+1835.11 грн
10+ 1808.14 грн
100+ 1443.68 грн
APT10050LVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
товар відсутній
APT10050LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10053LNR
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10053LNRGMicrochip / MicrosemiMicrochip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10057WVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT100788LL
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10078BFLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10078BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10078BFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT10078BFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V
товар відсутній
APT10078BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10078BFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
товар відсутній
APT10078BLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10078BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V
товар відсутній
APT10078BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10078BLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1621.51 грн
100+ 1378.75 грн
APT10078BLLGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS7 APT10078
кількість в упаковці: 30 шт
товар відсутній
APT10078BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT10078BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10078BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT10078SFLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10078SFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товар відсутній
APT10078SLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10078SLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT10078SLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 403W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10078SLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3 [S]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V
товар відсутній
APT10078SLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 403W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10078SLLGMICROSEMIкількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10078SLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 1000V, 0.78_OHM, D3, TO-268, RoHS
товар відсутній
APT10086
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10086BLC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10086BVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10086BVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10086BVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
товар відсутній
APT10086BVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10086BVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10086BVRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1358.15 грн
100+ 1155.37 грн
APT10086BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10086BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10086BVRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10086SLC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10086SVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10088HVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10090BFLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10090BFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
товар відсутній
APT10090BFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
товар відсутній
APT10090BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10090BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10090BLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10090BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT10090BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10090BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10090BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT10090BLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS
товар відсутній
APT10090BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1102.4 грн
100+ 862.38 грн
APT10090BLLGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS7 APT10090
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10090SFLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10090SLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10090SLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET,1000V, 0.90_OHM, D3, TO-268, RoHS
товар відсутній
APT10090SLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 298W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10090SLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 298W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10090SLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET,1000V, 0.90_OHM, D3, TO-268, RoHS
товар відсутній
APT100D60B2GMicrochip TechnologyRectifiers FRED D 600 V 100 A TO-247 MAX
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.55 грн
100+ 451.28 грн
APT100D60B2GMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 100A; T-Max; FRED
Type of diode: rectifying
Technology: FRED
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 100A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: T-Max
товар відсутній
APT100D60B2GMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: TO-247
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.99 грн
APT100D60B2GMicrochip Technology / AtmelRectifiers FRED D 600 V 100 A TO-247 MAX
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+570.36 грн
100+ 516.94 грн
APT100D60B2GMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 100A; T-Max; FRED
Type of diode: rectifying
Technology: FRED
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 100A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: T-Max
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100D60BGMicrochip TechnologyRectifiers
товар відсутній
APT100D60BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.6 грн
APT100DL60BGMicrochip / MicrosemiRectifiers FG, FRED, 600V, TO-247, RoHS
товар відсутній
APT100DL60HJMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 100A; screw; screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Version: module
Technology: FRED
Leads: M4 screws
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 100A
Case: SOT227B
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 2V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2484.92 грн
APT100DL60HJMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 100A; screw; screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Version: module
Technology: FRED
Leads: M4 screws
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 100A
Case: SOT227B
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 2V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2070.77 грн
APT100DL60HJMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules DOR CC0003
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2095.41 грн
10+ 2064.72 грн
25+ 1692.38 грн
APT100F50JMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 960W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100F50JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 103A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT100F50JMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 960W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT100F50JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 500V, SOT-227
товар відсутній
APT100GF60B2R
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT100GF60JR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT100GF60JRD
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT100GF60JU2MICROSEMISOT-227POWER MODULE - IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GF60JU3MicrosemiIGBT Modules Power Module - IGBT
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT100GF60JU3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT100GF60LR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT100GLQ65JU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; motors
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 270A
Application: motors
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: boost chopper
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GLQ65JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Boost Chopper
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V
товар відсутній
APT100GLQ65JU2Microchip TechnologyIGBT Modules CC0101
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2110.72 грн
100+ 1804.37 грн
APT100GLQ65JU2Microchip TechnologyISOTOP® Boost chopper 650V
товар відсутній
APT100GLQ65JU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; motors
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 270A
Application: motors
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: boost chopper
товар відсутній
APT100GLQ65JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT 600V 100A 430W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V
товар відсутній
APT100GLQ65JU3Microchip TechnologyIGBT Modules CC0107
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2031.87 грн
100+ 1736.45 грн
APT100GLQ65JU3MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 270A
Application: motors
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: buck chopper
товар відсутній
APT100GLQ65JU3MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 270A
Application: motors
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: buck chopper
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GN120B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 245A 960000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товар відсутній
APT100GN120B2GMICROCHIP (MICROSEMI)APT100GN120B2G THT IGBT transistors
товар відсутній
APT100GN120B2GMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT100GN120B2GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - APT100GN120B2G - IGBT, 245 A, 960 W, 1.2 kV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 245A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2017.03 грн
25+ 1976.54 грн
APT100GN120JMICROSEMIAPT100GN120J APT100
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GN120JMICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT100GN120JMicrochip / MicrosemiIGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT100GN120JMICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GN120JDQ4Microchip TechnologyIGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227
товар відсутній
APT100GN120JDQ4MICROSEMIISOTOP®/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GN120JDQ4MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT100GN120JDQ4MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GN60B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товар відсутній
APT100GN60B2GMICROCHIP (MICROSEMI)APT100GN60B2G THT IGBT transistors
товар відсутній
APT100GN60B2GMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT100GN60LDQ4GMICROSEMITO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI APT100GN60
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GN60LDQ4GMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHS
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT100GN60LDQ4GMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 135A
Power dissipation: 625W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 600nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 435ns
товар відсутній
APT100GN60LDQ4GMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 135A
Power dissipation: 625W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 600nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 435ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GN60LDQ4GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
APT100GN60LDQ4GMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1064.17 грн
100+ 906.33 грн
APT100GT120JRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 67A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GT120JRMicrochip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1.2KV 123A
товар відсутній
APT100GT120JRMicrochip TechnologyIGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227
товар відсутній
APT100GT120JRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 67A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT100GT120JRDLMICROSEMIISOTOP/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI APT100GT120
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
APT100GT120JRDQ4MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 67A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GT120JRDQ4Microchip / MicrosemiIGBT Modules FG, IGBT-COMBI,1200V,100A, SOT-227
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT100GT120JRDQ4MICROSEMISOT227/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT100GT120
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GT120JRDQ4MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 67A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4401.36 грн
100+ 3746.08 грн
APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 123 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 570 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.85 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4162.56 грн
APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570000mW 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT100GT120JU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 280A
Application: motors
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: boost chopper
товар відсутній
APT100GT120JU2Microchip TechnologyIGBT Modules CC0006
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT100GT120JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 480 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.2 nF @ 25 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2637.8 грн
100+ 2116.1 грн
APT100GT120JU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 280A
Application: motors
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: boost chopper
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GT120JU3MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; motors
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 280A
Application: motors
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: buck chopper
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GT120JU3MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; motors
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 280A
Application: motors
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: buck chopper
товар відсутній
APT100GT120JU3Microchip TechnologyIGBT Modules DOR CC0007
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2642.04 грн
100+ 2256.4 грн
APT100GT120TU2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT100GT120TU3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT100GT60B2RGMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT100GT60JRWL
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT100GT60JRMicrochip TechnologyIGBT Modules FG, IGBT, 600V, 100A, SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2487.39 грн
10+ 2317.53 грн
25+ 1966.03 грн
100+ 1855.78 грн
250+ 1718.63 грн
500+ 1660.89 грн
1000+ 1614.95 грн
APT100GT60JRDQ4Microchip / MicrosemiIGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V,100A, SOT-227
товар відсутній
APT100M50JMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 960W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100M50JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, SOT-227
товар відсутній
APT100M50JMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 960W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT100M50JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 103A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT100M50JMICROSEMISOT227/POWER MOSFET - MOS8 APT100M50
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100M50JMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, SOT-227
товар відсутній
APT100MC120JCU2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 143A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT100MC120JCU2Microchip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules CC0083
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT100MC120JCU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 108A; ISOTOP; screw; Idm: 280A
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 600W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 17mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100MC120JCU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 108A; ISOTOP; screw; Idm: 280A
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 600W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 17mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT100S20B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT100S20B
Код товару: 92152
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товар відсутній
APT100S20BG
Код товару: 149083
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
APT100S20BGMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky 200V 120A 110ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+740.76 грн
25+ 628.9 грн
100+ 540.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
APT100S20BGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 120A; TO247-2; Ufmax: 1.06V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 120A
Max. load current: 318A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 1kA
Max. forward voltage: 1.06V
Leakage current: 40µA
товар відсутній
APT100S20BGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 120A; TO247-2; Ufmax: 1.06V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 120A
Max. load current: 318A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 1kA
Max. forward voltage: 1.06V
Leakage current: 40µA
товар відсутній
APT100S20BGMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky 200V 120A 110ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT100S20BGMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky 200V 120A 110ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT100S20BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 200 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.8 грн
APT100S20BGMICROSEMITO247/SCHOTTKY DISCRETE RECTIFIER APT100S20
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT100S20BGMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers FG, SCHOTTKY, 200V, 100A, TO-247, RoHS
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.28 грн
100+ 335.82 грн
APT100S20LCT
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT100S20LCTGMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky 200V 120A 70ns 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
APT100S20LCTGMicrochip TechnologyDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 200 V
товар відсутній
APT100S20LCTGMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers FG, SCHOTTKY, 200V, TO-264, RoHS
на замовлення 891 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
1+834.49 грн
100+ 710.13 грн
APT100S20LCTGMICROCHIP (MICROSEMI)APT100S20LCTG THT Schottky diodes
товар відсутній
APT102GA60B2Microsemi CorporationDescription: IGBT 600V 183A 780W TO247
товар відсутній
APT102GA60B2MICROCHIP (MICROSEMI)APT102GA60B2 THT IGBT transistors
товар відсутній
APT102GA60B2Microchip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 183A 780mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT102GA60LMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT102GA60LMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 183A 780000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
APT102GA60LMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 183A 780W TO264
товар відсутній
APT102GA60LMICROCHIP (MICROSEMI)APT102GA60L THT IGBT transistors
товар відсутній
APT106N60B2C6Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 106A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товар відсутній
APT106N60B2C6MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 318A
Power dissipation: 833W
Gate charge: 308nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 68A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
APT106N60B2C6Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 106A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 833W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.4mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8390 pF @ 25 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1076.13 грн
APT106N60B2C6MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 318A
Power dissipation: 833W
Gate charge: 308nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 68A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT106N60B2C6Microchip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 600V, 106A, TO-247
товар відсутній
APT106N60B2C6Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 600V 106A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товар відсутній
APT106N60LC6MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 318A
Power dissipation: 833W
Gate charge: 308nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 68A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT106N60LC6Microchip TechnologyMOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1491.36 грн
100+ 1268.57 грн
250+ 1079.48 грн
APT106N60LC6MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 318A
Power dissipation: 833W
Gate charge: 308nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 68A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
APT106N60LC6Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 106A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 833W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.4mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8390 pF @ 25 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1359.36 грн
APT10DC120HJMicrosemi CorporationDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227
товар відсутній
APT10DC120HJMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
товар відсутній
APT10M07JVFRMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FREDFET MOS5 100 V 7 mOhm SOT-227
товар відсутній
APT10M07JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 225A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 700W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M07JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 225A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 700W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT10M07JVFRMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10M07JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 225A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10M07JVFRMICROSEMIISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT10M07
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
APT10M07JVRMicrochip TechnologyMicrochip Technology
товар відсутній
APT10M07JVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M09B2VFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M09B2VFRGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
товар відсутній
APT10M09B2VR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M09LVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M09LVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
APT10M09LVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 625W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M09LVFRGMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FREDFET MOS5 100 V 9 mOhm TO-264
товар відсутній
APT10M09LVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 625W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10M09LVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M11B2VFRGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
товар відсутній
APT10M11B2VR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M11JVFRMICROSEMIISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT10M11
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
APT10M11JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 144A
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT10M11JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 144A
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M11JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 144A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10M11JVFRMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10M11JVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M11JVRU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT10M11JVRU2Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
товар відсутній
APT10M11JVRU2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10M11JVRU2Microchip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules CC9518
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2431.5 грн
10+ 2396.01 грн
100+ 1966.03 грн
APT10M11JVRU2MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M11JVRU3MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10M11JVRU3MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: buck chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M11JVRU3MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: buck chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT10M11JVRU3Microchip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules CC9519
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2263.84 грн
100+ 1934.92 грн
APT10M11JVRU3Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
товар відсутній
APT10M11JVRU3Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10M11LVFRGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
товар відсутній
APT10M11LVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
APT10M11LVRAPT0211+ TO-3P
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M11LVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
APT10M11LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 100A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10M11LVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2585.28 грн
APT10M11LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 100A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M11LVRGMicrosemiTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
APT10M19BVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M19BVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
APT10M19BVFRGAPT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M19BVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
APT10M19BVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M19BVRMicrochip TechnologyMicrochip Technology FG, MOSFET, 100V, 0.019_OHM, TO-247
товар відсутній
APT10M19BVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
APT10M19BVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.35 грн
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 100V, TO-247, RoHS
товар відсутній
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT10M19BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT10M19BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M19BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10M19BVRGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS5 APT10M19
кількість в упаковці: 30 шт
товар відсутній
APT10M19SVFRGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
товар відсутній
APT10M19SVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M19SVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10M19SVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M19SVR-G
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M19SVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 100V, 0.019_OHM, D3, TO-268, RoHS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+951.62 грн
100+ 810.49 грн
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.5 грн
100+ 671.63 грн
APT10M19SVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT10M19SVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M19SVRG/TRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT10M25BVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M25BVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 100V, TO-247, RoHS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712 грн
100+ 605.98 грн
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
товар відсутній
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1081.23 грн
APT10M25BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT10M25BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M25BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1164.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
APT10M25SVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10M30AVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT10SCD120BMICROSEMIAPT10SCD120B APT10SCD120
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT10SCD120BMicrosemi CorporationDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
товар відсутній
APT10SCD120BCTMicrosemi CorporationDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
товар відсутній
APT10SCD120KMicrosemi CorporationDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.19 грн
APT10SCD120KMicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Discrete RECTIFIER
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10SCD65KMicrochip / MicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Discrete RECTIFIER
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10SCD65KMicrosemi CorporationDescription: DIODE SILICON 650V 17A TO220
товар відсутній
APT10SCD65KCTMicrochip / MicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Center Tap RECTIFIER
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT10SCD65KCTMicrosemi CorporationDescription: DIODE SILICON 650V 17A TO220
товар відсутній
APT110GF60JNAPTMODULE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1147APT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT11F80BMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS8 800 V 11 A TO-247
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.92 грн
25+ 382.61 грн
100+ 280.86 грн
APT11F80BMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 46A; 337W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 337W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT11F80BMICROSEMITO247-3/11 A, 800 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT11F80
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT11F80BMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT11F80BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2471 pF @ 25 V
товар відсутній
APT11F80BMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 46A; 337W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 337W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT11F80BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT11F80SMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
товар відсутній
APT11F80SMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
товар відсутній
APT11GF120BRD1
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT11GF120BRDQ1GMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 1200V 25A 156W TO247
товар відсутній
APT11GF120KR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT11GF120KRGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 25A 156mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
APT11GF120KRGMicrosemi CorporationDescription: IGBT 1200V 25A 156W TO220
товар відсутній
APT11GP60BDQB
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT11GP60BDQBGMicrochip TechnologyPOWER MOS 7 IGBT A NEW GENERATION OF HIGH VOLTAGE POWER
товар відсутній
APT11GP60BDQBGMicrosemi CorporationDescription: IGBT 600V 41A 187W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/29ns
Switching Energy: 46µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 11A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
APT11GP60BDQBGAPT
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT11GP60K
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT11GP60KGMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors
товар відсутній
APT11GP60SA
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT11N80BC3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT11N80BC3GMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT11N80BC3GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT11N80BC3G
Код товару: 176617
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
APT11N80BC3GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+293.17 грн
APT11N80BC3GMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT11N80BC3GMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET COOLMOS 800 V 11 A TO-247
товар відсутній
APT11N80KC3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT11N80KC3GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AC
товар відсутній
APT11N80KC3G
Код товару: 18385
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
APT11N80KC3GMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: TO-220 [K]
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 25 V
товар відсутній
APT11N80KC3GMICROSEMITO-220AB/11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT11N80
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1201R2BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 403W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1201R2BFLLGMICROSEMITO-247 [B]POWER FREDFET - MOS7
кількість в упаковці: 30 шт
товар відсутній
APT1201R2BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 403W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT1201R2BFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247, RoHS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT1201R2BFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1763.27 грн
100+ 1378.38 грн
APT1201R2BLLAPT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1201R2BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT1201R2BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1201R2BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1909.5 грн
APT1201R2SLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1201R4BFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247, RoHS
товар відсутній
APT1201R4BFLLGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
товар відсутній
APT1201R4BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1201R4BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT1201R4BLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1201R4BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT1201R4BLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1201R4BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 9A TO247
товар відсутній
APT1201R4SFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 36A; 300W; D3PAK
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D3PAK
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1201R4SFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET,1200V, TO-268, RoHS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT1201R4SFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 36A; 300W; D3PAK
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D3PAK
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
товар відсутній
APT1201R4SLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1201R5BVFR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1201R5BVFR
Код товару: 111350
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
APT1201R5BVFRGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
товар відсутній
APT1201R5BVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
товар відсутній
APT1201R5BVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1201R5BVR
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1201R5BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1201R5BVRGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS5 1200 V 1.5 Ohm TO-247
товар відсутній
APT1201R5BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
товар відсутній
APT1201R5SVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1201R5SVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
товар відсутній
APT1201R5SVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товар відсутній
APT1201R6BVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1201R6BVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1200V, 1.6_OHM, TO-247, RoHS
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT1201R6BVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
товар відсутній
APT1201R6BVFRG
Код товару: 171513
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
APT1201R6BVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
товар відсутній
APT1201R6BVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1201R6BVR
Код товару: 135464
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
APT1201R6BVRAPT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1201R6BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1201R6BVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
товар відсутній
APT1201R6BVRGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS5 1200 V 1.6 Ohm TO-247
товар відсутній
APT1201R6BVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247
Packaging: Tube
Part Status: Active
товар відсутній
APT1201R6SVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1201R6SVFRGMICROSEMID3PAK/POWER FREDFET - MOS5 APT1201R6
кількість в упаковці: 31 шт
товар відсутній
APT1201R6SVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1200V, D3, TO-268, RoHS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT1201R6SVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D3PAK
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
товар відсутній
APT1201R6SVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D3PAK
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12031JFLLMicrosemiTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35840.34 грн
10+ 31061.39 грн
50+ 29120.23 грн
100+ 26428.45 грн
APT12031JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 690W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT12031JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 690W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12031JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT12031JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT12031JFLLMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227
товар відсутній
APT12031JFLL
Код товару: 129751
Транзистори > IGBT
товар відсутній
APT12031JLLAPT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12040JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 24A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT12040JFLLMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
товар відсутній
APT12040JLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12040JVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12040JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT12040JVRMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 26A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7842.43 грн
APT12040JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 4-Pin SOT-227
товар відсутній
APT12040JVRMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1200V, 0.40_OHM, SOT-227
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7612.23 грн
100+ 6480.18 грн
APT12040JVRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 4-Pin SOT-227
товар відсутній
APT12040JVRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 26A; ISOTOP; screw; 700W; screw
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 700W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12040JVRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 26A; ISOTOP; screw; 700W; screw
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 700W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT12040L2FLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-264 MAX, RoHS
товар відсутній
APT12040L2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 120A; 893W
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO264MAX
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12040L2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 120A; 893W
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO264MAX
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
товар відсутній
APT12040L2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
товар відсутній
APT12040L2LL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12045
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12045L2VFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12045L2VR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1204R7BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; TO247-3
On-state resistance: 4.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1204R7BFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; TO247-3
On-state resistance: 4.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
товар відсутній
APT1204R7BFLLGMICROSEMITO247-3/3.5 A, 1200 V, 4.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT1204R7
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1204R7BFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT1204R7BFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247, RoHS
товар відсутній
APT1204R7BFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.95 грн
APT1204R7KFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
товар відсутній
APT1204R7KFLLGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO220
товар відсутній
APT1204R7KFLLGMICROSEMITO220/POWER FREDFET MOS7 APT1204
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1204R7KLLGAPT09+
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1204R7SFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT1204R7SFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT1204R7SFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK
On-state resistance: 4.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D3PAK
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1204R7SFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK
On-state resistance: 4.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D3PAK
Pulsed drain current: 14A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
товар відсутній
APT1204R7SFLLGMICROSEMID3PAK 3/3.5 A, 1200 V, 4.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT1204
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1204R7SFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1200V, 4.7_OHM, D-3, TO-268, RoHS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+836.02 грн
100+ 710.88 грн
APT1204R7SFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 3.5A D3PAK
товар відсутній
APT12057B2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
APT12057B2FLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1200V, 0.57_OHM, TO-247 T-MAX, RoHS
товар відсутній
APT12057B2FLLGMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT12057B2FLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товар відсутній
APT12057B2FLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12057B2LL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12057B2LLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET,1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2697.93 грн
100+ 2296.4 грн
APT12057B2LLGMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
товар відсутній
APT12057B2LLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 290nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12057B2LLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 290nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
APT12057JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 19A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT12057JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 520W
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 520W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT12057JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 19A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT12057JFLLMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET,1200V, 0.57_OHM, SOT-227
товар відсутній
APT12057JFLLMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT12057JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 520W
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 520W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12057JFLLMicrosemiTrans MOSFET N-CH 1.2KV 19A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4533.13 грн
10+ 4079.54 грн
APT12057JLLMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS7
товар відсутній
APT12057JLLMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
товар відсутній
APT12057JLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12057LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
APT12057LFLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET,1200V,0.57_OHM, TO-264, RoHS
товар відсутній
APT12057LFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET,1200V,0.57_OHM, TO-264, RoHS
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT12057LFLLGMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264
товар відсутній
APT12057LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12057LLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12060
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12060B2VFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12060B2VR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12060LVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12060LVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-264, RoHS
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT12060LVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 80A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO264
Power dissipation: 625W
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 650nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12060LVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 25 V
товар відсутній
APT12060LVFRGMICROSEMITO264/POWER FREDFET - MOS7 APT12060
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
APT12060LVFRGMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS5 1200 V 60 Ohm TO-264
товар відсутній
APT12060LVFRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 80A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO264
Power dissipation: 625W
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 650nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
товар відсутній
APT12060LVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
APT12060LVRAPTFBGA456
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12060LVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1335.94 грн
APT12060LVRGMicrochip TechnologyMOSFET MOSFET MOS5 1200 V 60 Ohm TO-264
товар відсутній
APT12060LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 20A; 625W
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO264
Power dissipation: 625W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 650nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
товар відсутній
APT12060LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 20A; 625W
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO264
Power dissipation: 625W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 650nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12060LVRGMicrochip TechnologyPower MOSFET 1K2V 20A Avalanche
товар відсутній
APT12067B2FLLGMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT12067B2FLLGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
товар відсутній
APT12067B2LL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12067B2LLGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
товар відсутній
APT12067B2LLGMicrosemiMOSFET Power MOSFET
товар відсутній
APT12067JFLLMicrochip TechnologyMOSFET FG, FREDFET, 1200V, 0.67_OHM, TO-247
товар відсутній
APT12067JFLLMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT12067JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 17A; ISOTOP; screw; Idm: 68A; 463W
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 463W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 670mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12067JFLLMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 17A SOT-227
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT12067JFLLMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 17A; ISOTOP; screw; Idm: 68A; 463W
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 463W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 670mΩ
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT12067JLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12067JLLMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
товар відсутній
APT12067LFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 18A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
товар відсутній
APT12067LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 565W; TO264
On-state resistance: 670mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO264
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
товар відсутній
APT12067LFLLGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
товар відсутній
APT12067LFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
APT12067LFLLGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 565W; TO264
On-state resistance: 670mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO264
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12067LLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12080B2VFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12080JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 60A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT12080JVFRMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT12080JVFRMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 15A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT12080JVFRMICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 60A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12080JVRST.
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12080JVRAPTMODULE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12080LVFR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12080LVFRGMICROSEMITO-264 [L]POWER FREDFET - MOS5
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
APT12080LVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12080LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 16A; 520W
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 485nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO264
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12080LVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 16A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 485 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1763.98 грн
APT12080LVRGMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 16A; 520W
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 485nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO264
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
товар відсутній
APT12080LVRGMicrochip TechnologyMOSFET MOS5 1200 V 80 Ohm TO-264
товар відсутній
APT12080LVRGMICROSEMIPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode APT12080
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT1211PanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin PDIP Tube
товар відсутній
APT1211Panasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1211PANASONICDescription: PANASONIC - APT1211 - Optokoppler, DIP, 4 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.78 грн
10+ 74.35 грн
25+ 67.95 грн
50+ 57.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
APT1211Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1211APanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1211APanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin DIP SMD Tube
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT1211APanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115 грн
10+ 69.93 грн
100+ 51.76 грн
500+ 44.64 грн
1000+ 36.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1211ATPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN DIL SMD, tube packing
товар відсутній
APT1211ATPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
товар відсутній
APT1211AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1211AXPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin DIP SMD T/R
товар відсутній
APT1211AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1211AXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1211AXTPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
товар відсутній
APT1211AXTPanasonic Electric WorksOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin DIP SMD T/R
товар відсутній
APT1211AZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1211AZPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1211AZPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin DIP SMD T/R
товар відсутній
APT1211AZTPanasonic Electric WorksOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin DIP SMD Tube
товар відсутній
APT1211SPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin SOP Tube
товар відсутній
APT1211SPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1211SPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers 50mA 600V TRIAC ZERO-CROSS
товар відсутній
APT1211SPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin SOP Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.55 грн
300+ 108.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
APT1211SXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.58 грн
10+ 69.24 грн
100+ 51.23 грн
500+ 44.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1211SXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.26 грн
2000+ 36.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
APT1211SXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 50mA 50V Phototriac Coupler
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.38 грн
10+ 81.5 грн
100+ 54.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1211SXTPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/50mA, Zero-cross, I/O=3,75kV, 4-PIN SOP, tape and reel
товар відсутній
APT1211SZPANASONICDescription: PANASONIC - APT1211SZ - Optokoppler, SOP, 4 Pin(s), 3.75 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
Anzahl der Pins: 4
Isolationsspannung: 3.75
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: SOP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
APT1211SZPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 50mA 50V Phototriac Coupler
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.62 грн
10+ 95.84 грн
100+ 70.87 грн
250+ 70.22 грн
500+ 66.93 грн
1000+ 59.65 грн
2000+ 56.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1211SZPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin SOP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+104.3 грн
Мінімальне замовлення: 750
APT1211SZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1211SZTPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/50mA, Zero-cross, I/O=3,75kV, 4-PIN SOP, tape and reel
товар відсутній
APT1211TPanasonic Electric WorksOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin PDIP Tube
товар відсутній
APT1211WPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1211WPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.93 грн
10+ 76.29 грн
100+ 56.46 грн
500+ 48.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1211WAPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1211WAPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1211WAJPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
товар відсутній
APT1211WAWPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1211WAWPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1211WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1211WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1211WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1211WAYJPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
товар відсутній
APT1211WAYJPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN DIL SMD wide terminal, tape and reel
товар відсутній
APT1212PanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP Tube
товар відсутній
APT1212Panasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.52 грн
10+ 88.79 грн
100+ 65.73 грн
500+ 56.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1212Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT1212PanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+105.49 грн
250+ 88.28 грн
500+ 78.86 грн
Мінімальне замовлення: 108
APT1212(EA)NAIS03+
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1212(EA)NAIS03+
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1212APanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+147.65 грн
10+ 95.01 грн
100+ 73.1 грн
500+ 62.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1212APanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1212AJPanasonic Electric WorksAPT1212AJ
товар відсутній
APT1212AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.49 грн
10+ 96.79 грн
100+ 74.48 грн
500+ 63.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1212AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
APT1212AXPANASONICDescription: PANASONIC - APT1212AX - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
APT1212AXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1212AZPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1212AZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
товар відсутній
APT1212AZJPanasonic Electric WorksAPT1212AZJ
товар відсутній
APT1212D05Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1212WPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
товар відсутній
APT1212WPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1212WAPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.01 грн
10+ 101.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1212WAPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1212WAWPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
товар відсутній
APT1212WAWPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1212WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
APT1212WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1212WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.17 грн
10+ 100.21 грн
100+ 77.09 грн
500+ 65.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1221Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1221
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1221PANASONICDescription: PANASONIC - APT1221 - Optokoppler, DIP, 4 Pin(s), 5 kV, Momentwert, 600 V
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Momentwert
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.63 грн
11+ 71.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
APT1221PanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 4-Pin PDIP Tube
товар відсутній
APT1221Panasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.38 грн
10+ 73.96 грн
100+ 54.71 грн
500+ 47.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1221APanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.45 грн
10+ 67.88 грн
100+ 50.2 грн
500+ 43.29 грн
1000+ 35.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1221APanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1221APANASONICDescription: PANASONIC - APT1221A - Optokoppler, DIP, 4 Pin(s), 5 kV, Momentwert, 600 V
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Momentwert
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.69 грн
11+ 69.27 грн
25+ 63.23 грн
50+ 53.18 грн
100+ 43.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
APT1221ATPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Non-zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN DIL SMD, tube packing
товар відсутній
APT1221AXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1221AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.19 грн
10+ 78.95 грн
100+ 58.42 грн
500+ 50.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1221AXPANASONICDescription: PANASONIC - APT1221AX - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.78 грн
10+ 74.35 грн
25+ 67.95 грн
50+ 57.21 грн
100+ 47.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
APT1221AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1221AXTPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Non-zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN DIL SMD, tape and reel
товар відсутній
APT1221AZPANASONICDescription: PANASONIC - APT1221AZ - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
Anzahl der Pins: 4
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
APT1221AZPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1221AZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
товар відсутній
APT1221SPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers 50mA 600V TRIAC NON ZERO-CROSS
товар відсутній
APT1221SPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.55 грн
10+ 72.18 грн
100+ 53.44 грн
500+ 46.08 грн
1000+ 37.95 грн
2000+ 36.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1221SPANASONICDescription: PANASONIC - APT1221S - Optokoppler, SOP, 4 Pin(s), 3.75 kV, Momentwert, 600 V
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Momentwert
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.89 грн
11+ 71.33 грн
25+ 65.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
APT1221STPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/50mA, Non-zero-cross, I/O=3,75kV, 4-PIN SOP, tube packing
товар відсутній
APT1221SXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 50mA Random Phototriac Coupler
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.29 грн
10+ 68.6 грн
100+ 47.9 грн
500+ 44.03 грн
1000+ 36.16 грн
2000+ 34.45 грн
5000+ 33.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
APT1221SXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.9 грн
2000+ 36.5 грн
Мінімальне замовлення: 1000
APT1221SXPANASONICDescription: PANASONIC - APT1221SX - Optokoppler, SOP, 4 Pin(s), 3.75 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+106.74 грн
11+ 67.58 грн
25+ 63.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
APT1221SXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+ 68.56 грн
100+ 50.77 грн
500+ 43.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1221SXPanasonic2006
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1221SXTPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/50mA, Non-zero-cross, I/O=3,75kV, 4-PIN SOP, tape and reel
товар відсутній
APT1221SXTPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
товар відсутній
APT1221SZPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 50mA Random Phototriac Coupler
товар відсутній
APT1221SZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
товар відсутній
APT1221SZTPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/50mA, Non-zero-cross, I/O=3,75kV, 4-PIN SOP, tape and reel
товар відсутній
APT1221WPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1221WPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.81 грн
10+ 106.91 грн
100+ 82.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1221WAPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1221WAPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
товар відсутній
APT1221WAWPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
товар відсутній
APT1221WAWPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1221WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1221WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
товар відсутній
APT1222PAZ09+
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1222PanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP Tube
товар відсутній
APT1222Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random SSR NCNR
товар відсутній
APT1222Panasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.52 грн
10+ 88.59 грн
100+ 65.55 грн
500+ 56.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1222PAZ0620NO
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1222PANASONICDescription: PANASONIC - APT1222 - Optokoppler, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Momentwert, 600 V
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Momentwert
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.46 грн
10+ 77.29 грн
25+ 70.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
APT1222(EA)NAIS03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1222(EA)NAIS03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT1222APanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP SMD Tube
товар відсутній
APT1222APanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Coupler SSR
товар відсутній
APT1222APanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.71 грн
10+ 88.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1222AD05Panasonic Electric WorksSolid State-Relays
товар відсутній
APT1222AXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Coupler SSR
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.59 грн
10+ 93.58 грн
100+ 62.28 грн
500+ 56.24 грн
1000+ 48.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1222AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
товар відсутній
APT1222AXPANASONICDescription: PANASONIC - APT1222AX - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
APT1222AXPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+147.65 грн
10+ 95.08 грн
100+ 73.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1222AZPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP SMD T/R
товар відсутній
APT1222AZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
товар відсутній
APT1222AZPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Coupler SSR
товар відсутній
APT1222AZD05Panasonic Electric WorksPhototriac coupler, Solid state relay
товар відсутній
APT1222D05Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC TY 600V 100mA 50V Coupler SSR
товар відсутній
APT1222WPANASONICDescription: PANASONIC - APT1222W - Optokoppler, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.41 грн
10+ 83.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
APT1222WPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1222WPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm), 5 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.52 грн
10+ 93.31 грн
100+ 71.82 грн
500+ 60.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1222WAPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1222WAPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.33 грн
10+ 98.43 грн
100+ 75.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1222WAWPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
товар відсутній
APT1222WAWPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
товар відсутній
APT1222WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.17 грн
10+ 100.21 грн
100+ 77.09 грн
500+ 65.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1222WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers AC 600V 100mA Random Phototria Coupler Wd
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.57 грн
10+ 92.07 грн
100+ 61.62 грн
250+ 59.39 грн
500+ 55.25 грн
1000+ 47.44 грн
2000+ 44.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1222WAYPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1222WAYJPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Non-zero-cross, I/O=5,0kV, 6-PIN DIL SMD wide terminal, tape and reel
товар відсутній
APT1222WJPanasonic Electric WorksPhotoTriac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Non-zero-cross, I/O=5,0kV, 6-PIN DIL PC board wide terminal, tube packing
товар відсутній
APT1231Panasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 4DIP
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.87 грн
10+ 86.74 грн
100+ 66.75 грн
500+ 56.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1231Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT1231APanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT1231APanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 4DIP
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.42 грн
10+ 88.86 грн
100+ 68.41 грн
500+ 58.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1231AXPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 4DIP
товар відсутній
APT1231AXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT1231AXPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 4DIP
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.81 грн
10+ 92.83 грн
100+ 71.45 грн
500+ 60.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1231AXJPanasonic Electric WorksPhoto Triac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN DIL SMD, tape and reel
товар відсутній
APT1231SPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers Photo triac Coupler
на замовлення 100 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
3+133.98 грн
10+ 83.77 грн
100+ 53.61 грн
500+ 49.28 грн
1000+ 48.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1231SPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.2 грн
10+ 92.08 грн
100+ 68.14 грн
500+ 58.76 грн
1000+ 48.39 грн
2000+ 45.97 грн
5000+ 44.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1231SPANASONICDescription: PANASONIC - APT1231S - Optokoppler, SOP, 4 Pin(s), 3.75 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pins
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT1231SJPanasonic Electric WorksPhoto Triac-Coupler, 1-Form-A, 600V/50mA, Zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN SOP SMD, tube packing
товар відсутній
APT1231SXPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 4DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.75 грн
2000+ 40.93 грн
5000+ 40.01 грн
10000+ 36.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
APT1231SXPANASONICDescription: PANASONIC - APT1231SX - Optokoppler, SOP, 4 Pin(s), 3.75 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.25 грн
10+ 75.82 грн
25+ 69.2 грн
50+ 58.17 грн
100+ 48.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
APT1231SXPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 4DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 4-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 13227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.35 грн
10+ 76.97 грн
100+ 56.94 грн
500+ 49.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1231SXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
товар відсутній
APT1231WPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
товар відсутній
APT1231WAPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
товар відсутній
APT1231WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers
товар відсутній
APT1231WAYJPanasonic Electric WorksPhoto Triac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Zero-cross, I/O=5,0kV, 4-PIN DIL SMD, tape and reel, wide terminal
товар відсутній
APT1232Panasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.52 грн
10+ 93.58 грн
100+ 80.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1232Panasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1232PanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP Tube
товар відсутній
APT1232APanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP SMD Tube
товар відсутній
APT1232APanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
товар відсутній
APT1232APANASONICDescription: PANASONIC - APT1232A - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.53 грн
10+ 105.27 грн
25+ 97.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
APT1232APanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1232AXPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.94 грн
10+ 108.14 грн
100+ 83.22 грн
500+ 70.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1232AXPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers APT Phototriac
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
3+148.52 грн
10+ 98.1 грн
100+ 65.62 грн
500+ 59.19 грн
1000+ 57.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1232AXPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
товар відсутній
APT1232AZPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin PDIP SMD T/R
товар відсутній
APT1232AZPANASONICDescription: PANASONIC - APT1232AZ - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 600 V, APT Series
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600
Produktpalette: APT Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
APT1232AZPanasonic Electric WorksDescription: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
товар відсутній
APT1232AZJPanasonic Electric WorksPhoto Triac-Coupler, 1-Form-A, 600V/100mA, Zero-cross, I/O=5,0kV, 6-PIN DIL SMD, tape and reel
товар відсутній
APT1232WPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers OPTOISOLATOR TRIAC OUTPUT 5000
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.32 грн
10+ 115.46 грн
100+ 76.78 грн
250+ 74.81 грн
500+ 69.56 грн
1000+ 60.11 грн
2500+ 56.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1232WPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm), 5 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.58 грн
10+ 69.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1232WAPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers OPTOISOLATOR TRIAC OUTPUT 5000
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.32 грн
10+ 115.46 грн
100+ 76.78 грн
250+ 74.81 грн
500+ 69.56 грн
1000+ 60.11 грн
2500+ 56.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
APT1232WAPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1232WAYPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.84 грн
10+ 89.75 грн
100+ 69.07 грн
500+ 58.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
APT1232WAYPanasonic Industrial DevicesTriac & SCR Output Optocouplers PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
товар відсутній
APT1232WAYPanasonic Electric WorksDescription: PHOTOTRIAC COUPLER 600V 6DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.21V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: cUR, VDE
Current - Hold (Ih): 3.5mA
Turn On Time: 100µs (Max)
Supplier Device Package: 6-DIP Gull Wing
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
APT1232WAYPanasonicOptocoupler Triac AC-OUT 1-CH 600V 5-Pin DIP SMD T/R
товар відсутній
APT12F60KMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
APT12F60KMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
товар відсутній
APT12F60KMICROSEMITO220AB/12 A, 600 V, 0.62 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT12F60
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12GT60BR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12GT60BRGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 108000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT12GT60BRGMicrosemi Power Products GroupDescription: IGBT 600V 25A 108W TO247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT12GT60KR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT12GT60KRGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 108000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
APT12M80BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT12M80BMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 45A; 335W; TO247-3
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 335W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 45A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
товар відсутній
APT12M80BMICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 45A; 335W; TO247-3
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 335W
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Pulsed drain current: 45A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT12M80BMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 800V, TO-247
товар відсутній
APT12M80BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
товар відсутній
APT12MMCLRPRO POWERDescription: PRO POWER - APT12MMCLR - PACKAGING TAPE PP 12MM X 66M
tariffCode: 39191080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
Rollenlänge - imperial: 216ft
hazardous: false
Bandbreite - Imperial: 0.47"
rohsPhthalatesCompliant: NA
Rollenlänge - metrisch: 66m
Bandbreite - Metrisch: 12mm
usEccn: EAR99
товар відсутній
APT13003DHZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: IC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
APT13003DI-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 24 W
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.36 грн
11+ 24.95 грн
100+ 14.94 грн
500+ 12.98 грн
1000+ 8.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
APT13003DI-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W
товар відсутній
APT13003DI-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 24 W
товар відсутній
APT13003DU-E1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN DARL 450V 1.5A TO126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.1 W
товар відсутній
APT13003DU-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 20W
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT13003DU-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
APT13003DU-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 450V 1.5A 3-Pin TO-126 Bulk
товар відсутній
APT13003DZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.1 W
товар відсутній
APT13003DZTR-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 450V 1.5A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
APT13003DZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 250V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 1.1W
товар відсутній
APT13003DZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.1 W
товар відсутній
APT13003EU-E1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
APT13003EU-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 465V 1.5A 3-Pin TO-126 Bulk
товар відсутній
APT13003EU-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
APT13003EU-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 465V 20W
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT13003EU-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 465V 1.5A 3-Pin TO-126 Bulk
товар відсутній
APT13003EZTR-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 465V 1.5A 1100mW 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
APT13003EZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
товар відсутній
APT13003EZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
товар відсутній
APT13003EZTR-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 465V 1.5A 1100mW 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
APT13003HU-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
APT13003HU-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 465V 20W
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT13003HZTR-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 465V 1.5A 1100mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
APT13003HZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
товар відсутній
APT13003HZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 465V 1.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
товар відсутній
APT13003HZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
товар відсутній
APT13003LZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 0.8A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 300mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
APT13003LZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
товар відсутній
APT13003LZTR-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 450V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
APT13003NZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 530V NPN HV Trans 900Vces 10Vebo 1.5A
товар відсутній
APT13003NZTR-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
APT13003NZTR-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT13003NZTR-G1DIODES INC.Description: DIODES INC. - APT13003NZTR-G1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 530 V, 1.5 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 530V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.51 грн
32+ 23.63 грн
100+ 14.28 грн
Мінімальне замовлення: 24
APT13003NZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 900V 1.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
APT13003NZTR-G1Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
APT13003SU-E1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A TO126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.1 W
товар відсутній
APT13003SU-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 20W
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT13003SU-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
APT13003SU-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 20000mW 3-Pin TO-126 Bulk
товар відсутній
APT13003SZTR-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
товар відсутній
APT13003SZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.1 W
товар відсутній
APT13003SZTR-G1Diodes IncTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 1100mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
APT13003XZTR-E1Diodes IncorporatedDescription: IC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
товар відсутній
APT13003XZTR-E1Diodes IncorporatedDiodes Inc.
товар відсутній
APT13003XZTR-G1Diodes IncorporatedDiodes Inc.
товар відсутній
APT13003XZTR-G1Diodes IncorporatedDescription: IC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
товар відсутній
APT13005DI-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT13005DI-G1Diodes IncTrans Darlington NPN 450V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
APT13005DI-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 4A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 25 W
товар відсутній
APT13005DT-G1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT13005DT-G1Diodes IncTrans Darlington NPN 450V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
APT13005DT-G1Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 4A TO220-3
Packaging: Box
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товар відсутній