APT70GR65B2SCD30 Microsemi Corporation
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IGBT NPT 650V 134A TMAX
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns
Test Condition: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 595 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT70GR65B2SCD30 Microsemi Corporation
Description: IGBT NPT 650V 134A TMAX, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns, Test Condition: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 305 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 134 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A, Power - Max: 595 W.
Інші пропозиції APT70GR65B2SCD30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT70GR65B2SCD30 | Microchip / Microsemi |
 IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. |
| APT70GR65B2SCD30 |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику
од. на суму грн.