APTDC20H601G Microsemi Corporation
Виробник: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A SP1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Supplier Device Package: SP1
Technology: Silicon Carbide Schottky
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTDC20H601G Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A SP1, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Average Rectified (Io): 20 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Supplier Device Package: SP1, Technology: Silicon Carbide Schottky, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP1, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції APTDC20H601G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTDC20H601G | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APTDC20H601G |
Виробник: Microchip / Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.