Продукція > MICROSEMI > APTDC40H601G
APTDC40H601G

APTDC40H601G Microsemi

1557412-aptdc40h601g-rev1-pdf.pdf Виробник: Microsemi
Diode Schottky 600V 40A 12-Pin Case SP-1 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTDC40H601G Microsemi

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 40A SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide Schottky, Supplier Device Package: SP1, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 40 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 600 V.

Інші пропозиції APTDC40H601G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTDC40H601G APTDC40H601G Виробник : Microsemi Corporation High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 40A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SP1
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTDC40H601G Виробник : Microchip / Microsemi High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.