APTGF90DH60T3G MICROSEMI
Виробник: MICROSEMISP3/Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module APTGF90
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGF90DH60T3G MICROSEMI
Description: IGBT MODULE 600V 110A 416W SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Asymmetrical Bridge, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP3, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 416 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGF90DH60T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APTGF90DH60T3G | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: IGBT MODULE 600V 110A 416W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Asymmetrical Bridge Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 416 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |