Продукція > MICROSEMI > APTGFQ25H120T2G

APTGFQ25H120T2G MICROSEMI

APTGFQ25H120T2G.pdf
Виробник: MICROSEMI
SP2/Full - Bridge NPT IGBT Power Module APTGFQ25H120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTGFQ25H120T2G MICROSEMI

Description: IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2, Packaging: Bulk, Package / Case: SP2, Mounting Type: Through Hole, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP2, IGBT Type: NPT and Fieldstop, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 227 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.02 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APTGFQ25H120T2G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APTGFQ25H120T2G APTGFQ25H120T2G Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
Packaging: Bulk
Package / Case: SP2
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP2
IGBT Type: NPT and Fieldstop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 227 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.02 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGFQ25H120T2G APTGFQ25H120T2G Microsemi Microsemi_PDM_Short_Form_Catalog-1131804.pdf IGBT Modules Power Module - IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGFQ25H120T2G APTGFQ25H120T2G.pdf
APTGFQ25H120T2G
Виробник: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
Packaging: Bulk
Package / Case: SP2
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP2
IGBT Type: NPT and Fieldstop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 227 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.02 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTGFQ25H120T2G Microsemi_PDM_Short_Form_Catalog-1131804.pdf
APTGFQ25H120T2G
Виробник: Microsemi
IGBT Modules Power Module - IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.