Продукція > APT > APTGT100A120D1G

APTGT100A120D1G

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Виробник: APT
100A/1200V/IGBT/2U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTGT100A120D1G APT

Description: IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1, Packaging: Bulk, Package / Case: D1, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: D1, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 520 W, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APTGT100A120D1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTGT100A120D1G APTGT100A120D1G Виробник : Microsemi Corporation High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
Packaging: Bulk
Package / Case: D1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D1
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 520 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.