APTM100A13SG MICROSEMI
Виробник: MICROSEMI
SP6/65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM100
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM100A13SG MICROSEMI
Category: Transistor modules, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; FASTON connectors,screw, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 49A, Case: SP6C, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 156mΩ, Pulsed drain current: 240A, Power dissipation: 1.25kW, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes.
Інші пропозиції APTM100A13SG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
APTM100A13SG | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
APTM100A13SG | Microchip Technology |
MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP6C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| APTM100A13SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modulesDescription: Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; FASTON connectors,screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 49A Case: SP6C Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 156mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 1.25kW Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APTM100A13SG |
![]() |
Виробник: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| APTM100A13SG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP6C
MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP6C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APTM100A13SG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; FASTON connectors,screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 49A
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 156mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes
Category: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; FASTON connectors,screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 49A
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 156mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


