Технічний опис APTM100A13SG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; FASTON connectors,screw, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 49A, Pulsed drain current: 240A, Power dissipation: 1.25kW, Case: SP6C, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 156mΩ, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 7®, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Semiconductor structure: diode/transistor, Mechanical mounting: screw, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes.
Інші пропозиції APTM100A13SG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM100A13SG | Виробник : MICROSEMI |
 SP6/65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM100кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APTM100A13SG | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
товару немає в наявності |
|
 |
APTM100A13SG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP6C |
товару немає в наявності |
|
| APTM100A13SG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; FASTON connectors,screw Drain-source voltage: 1kV Drain current: 49A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 1.25kW Case: SP6C Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 156mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: diode/transistor Mechanical mounting: screw Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes |
товару немає в наявності |