Технічний опис APTM100A13SG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; FASTON connectors,screw, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 49A, On-state resistance: 156mΩ, Power dissipation: 1.25kW, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes, Pulsed drain current: 240A, Case: SP6C, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM100A13SG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APTM100A13SG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; FASTON connectors,screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 49A On-state resistance: 156mΩ Power dissipation: 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes Pulsed drain current: 240A Case: SP6C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
APTM100A13SG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
|
APTM100A13SG | Виробник : Microsemi Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
APTM100A13SG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APTM100A13SG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; FASTON connectors,screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 49A On-state resistance: 156mΩ Power dissipation: 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes Pulsed drain current: 240A Case: SP6C |
товару немає в наявності |