Технічний опис APTM10AM05FTG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 207A, Case: SP4, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 5mΩ, Technology: FREDFET; POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Power dissipation: 780W, Pulsed drain current: 1100A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM10AM05FTG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APTM10AM05FTG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 207A Case: SP4 Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 5mΩ Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Power dissipation: 780W Pulsed drain current: 1100A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
APTM10AM05FTG | Виробник : Microsemi Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTM10AM05FTG | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTM10AM05FTG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 207A Case: SP4 Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 5mΩ Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Power dissipation: 780W Pulsed drain current: 1100A |
товару немає в наявності |