Технічний опис APTM10DAM05TG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; screw, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 207A, Case: SP4, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 5mΩ, Pulsed drain current: 1100A, Power dissipation: 780W, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції APTM10DAM05TG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM10DAM05TG | Виробник : Microsemi Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 100V 278A SP4 |
товару немає в наявності |
||
| APTM10DAM05TG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET Modules PM-MOSFET-5-SP4 |
товару немає в наявності |
||
| APTM10DAM05TG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 207A Case: SP4 Topology: boost chopper; NTC thermistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 5mΩ Pulsed drain current: 1100A Power dissipation: 780W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |