Технічний опис APTM10DAM05TG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; screw, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP4, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 207A, On-state resistance: 5mΩ, Power dissipation: 780W, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Pulsed drain current: 1100A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM10DAM05TG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APTM10DAM05TG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; screw Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP4 Drain-source voltage: 100V Drain current: 207A On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 780W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper; NTC thermistor Pulsed drain current: 1100A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
APTM10DAM05TG | Виробник : Microsemi Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTM10DAM05TG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTM10DAM05TG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; screw Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP4 Drain-source voltage: 100V Drain current: 207A On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 780W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper; NTC thermistor Pulsed drain current: 1100A |
товару немає в наявності |