Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM10DHM05G

APTM10DHM05G Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 100V 278A 8-Pin Case SP-6 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис APTM10DHM05G Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP6C; Idm: 1100A; 780W; screw, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP6C, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 207A, On-state resistance: 5mΩ, Power dissipation: 780W, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: asymmetrical bridge, Pulsed drain current: 1100A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM10DHM05G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTM10DHM05G	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP6C; Idm: 1100A; 780W; screw Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP6C Drain-source voltage: 100V Drain current: 207A On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 780W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: asymmetrical bridge Pulsed drain current: 1100A кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM10DHM05G	Виробник : Microsemi Corporation	Description: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM10DHM05G	Виробник : Microchip / Microsemi	Discrete Semiconductor Modules DOR CC6186	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM10DHM05G	Виробник : Microchip Technology	MOSFET Modules PM-MOSFET-5-SP6C	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM10DHM05G	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 207A; SP6C; Idm: 1100A; 780W; screw Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP6C Drain-source voltage: 100V Drain current: 207A On-state resistance: 5mΩ Power dissipation: 780W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: asymmetrical bridge Pulsed drain current: 1100A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.