Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM10TAM19FPG

APTM10TAM19FPG Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 21-Pin Case SP-6P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTM10TAM19FPG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 100V; 50A; SP6P; Press-in PCB; 208W, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 50A, Case: SP6P, Topology: MOSFET x3 half-bridge, Electrical mounting: Press-in PCB, On-state resistance: 21mΩ, Technology: FREDFET; POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Power dissipation: 208W, Pulsed drain current: 300A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM10TAM19FPG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTM10TAM19FPG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 100V; 50A; SP6P; Press-in PCB; 208W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Case: SP6P Topology: MOSFET x3 half-bridge Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 21mΩ Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Power dissipation: 208W Pulsed drain current: 300A кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM10TAM19FPG	Виробник : MICROSEMI	SP6-P/Triple phase leg MOSFET Power Module APTM10 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM10TAM19FPG	Виробник : Microsemi Corporation	Description: MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM10TAM19FPG	Виробник : Microchip Technology	Discrete Semiconductor Modules DOR CC6500	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM10TAM19FPG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 100V; 50A; SP6P; Press-in PCB; 208W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Case: SP6P Topology: MOSFET x3 half-bridge Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 21mΩ Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Power dissipation: 208W Pulsed drain current: 300A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.