APTM60A11FT1G

APTM60A11FT1G Microchip Technology


3118208-aptm60a11ft1g-rev1-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 12-Pin Case SP-1 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM60A11FT1G Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 600V; 30A; SP1; Press-in PCB; 390W, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 30A, Case: SP1, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor, Electrical mounting: Press-in PCB, On-state resistance: 0.11Ω, Pulsed drain current: 245A, Power dissipation: 390W, Technology: FREDFET; POWER MOS 8®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM60A11FT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTM60A11FT1G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY APTM60A11UT1G-Rev0.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 600V; 30A; SP1; Press-in PCB; 390W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: SP1
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 0.11Ω
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 390W
Technology: FREDFET; POWER MOS 8®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM60A11FT1G Виробник : Microsemi Corporation APTM60A11UT1G-Rev0.pdf Description: MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM60A11FT1G Виробник : Microchip Technology APTM60A11FT1G_Rev1-3444796.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-8-SP1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTM60A11FT1G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY APTM60A11UT1G-Rev0.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 600V; 30A; SP1; Press-in PCB; 390W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: SP1
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 0.11Ω
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 390W
Technology: FREDFET; POWER MOS 8®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.