Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM60A11FT1G

APTM60A11FT1G Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 12-Pin Case SP-1 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTM60A11FT1G Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 600V; 30A; SP1; Press-in PCB; 390W, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 30A, Pulsed drain current: 245A, Power dissipation: 390W, Case: SP1, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.11Ω, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Semiconductor structure: transistor/transistor, Technology: FREDFET; POWER MOS 8®, Mechanical mounting: screw, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM60A11FT1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTM60A11FT1G	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 600V; 30A; SP1; Press-in PCB; 390W Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 390W Case: SP1 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: FREDFET; POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM60A11FT1G	Виробник : Microsemi Corporation	Description: MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM60A11FT1G	Виробник : Microchip Technology	MOSFET Modules PM-MOSFET-FREDFET-8-SP1	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM60A11FT1G	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 600V; 30A; SP1; Press-in PCB; 390W Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 390W Case: SP1 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: FREDFET; POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.