Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM60H23FT1G

APTM60H23FT1G Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 12-Pin Case SP-1 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTM60H23FT1G Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 600V; 15A; SP1; Press-in PCB; 208W, Technology: FREDFET; POWER MOS 8®, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 15A, Power dissipation: 208W, Case: SP1, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.23Ω, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: H-bridge; NTC thermistor, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Pulsed drain current: 125A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM60H23FT1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTM60H23FT1G	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 600V; 15A; SP1; Press-in PCB; 208W Technology: FREDFET; POWER MOS 8® Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Power dissipation: 208W Case: SP1 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: H-bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Pulsed drain current: 125A кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM60H23FT1G	Виробник : Microsemi Corporation	Description: MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM60H23FT1G	Виробник : Microchip / Microsemi	Discrete Semiconductor Modules CC8076	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM60H23FT1G	Виробник : Microchip Technology	Discrete Semiconductor Modules CC8076	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM60H23FT1G	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 600V; 15A; SP1; Press-in PCB; 208W Technology: FREDFET; POWER MOS 8® Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Power dissipation: 208W Case: SP1 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: H-bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Pulsed drain current: 125A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.