Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTM60H23FT1G

APTM60H23FT1G Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 12-Pin Case SP-1 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTM60H23FT1G Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 600V; 15A; SP1; Press-in PCB; 208W, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 15A, Case: SP1, Topology: H-bridge; NTC thermistor, Electrical mounting: Press-in PCB, On-state resistance: 0.23Ω, Pulsed drain current: 125A, Power dissipation: 208W, Technology: FREDFET; POWER MOS 8®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM60H23FT1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTM60H23FT1G	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 600V; 15A; SP1; Press-in PCB; 208W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Case: SP1 Topology: H-bridge; NTC thermistor Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 0.23Ω Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 208W Technology: FREDFET; POWER MOS 8® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM60H23FT1G	Виробник : Microsemi Corporation	Description: MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM60H23FT1G	Виробник : Microchip / Microsemi	Discrete Semiconductor Modules CC8076	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM60H23FT1G	Виробник : Microchip Technology	Discrete Semiconductor Modules CC8076	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTM60H23FT1G	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 600V; 15A; SP1; Press-in PCB; 208W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Case: SP1 Topology: H-bridge; NTC thermistor Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 0.23Ω Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 208W Technology: FREDFET; POWER MOS 8® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.